Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 21 стр.

UptoLike

Составители: 

21
диффузии, то для их идентификации во всех случаях необходимо проведение
специальных опытов. Одним из таких опытов является измерение
спектральной зависимости эффекта. Если имеет место механизм диффузии
центра в возбужденном состоянии, в спектре должен наблюдаться
специфический максимум, соответствующий расстоянию между основным и
возбужденным уровнями.
1.12. Основные типы ФХР в кристаллах А
II
B
VI
Большинство приведенных выше механизмов удалось наблюдать при
изучении процессов фотостимулированного преобразования дефектов в
кристаллах CdS и его аналогов.
Исследованные в CdS ФХР можно разделить на следующие типы:
ассоциация мелких доноров с другими дефектами;
диссоциация ДА-пар;
диссоциация сложных комплексов, состоящих из ДА-пар и глубоких
акцепторов;
ассоциация мелких доноров между собой;
распад ассоциатов доноров;
выход доноров из стоков в объем кристалла.
1) Ассоциация доноров с другими имеющимися в кристалле
дефектами (процесс 1)
Процессы такого типа протекают, например, в нелегированных
кристаллах CdS, отожженных при температурах 700–1100 К либо в
вакууме, либо в атмосфере N
2
, Не, либо на воздухе, при освещении их
видимым светом в области температур 150–300 К. Эти процессы приводят
к преобразованию центров прилипания (ЦП) для электронов, что
проявляется, например, в изменении спектров ТСП.
В результате этой ФХР появляется несколько электронных центров
прилипания ЦП-2 ЦП-7 (пики ТСП 2-7 на рис. 1.1) и уменьшается
интенсивность пика 1 (уменьшается концентрация центра ЦП-1). Энергии
активации образования ЦП-2, 3, 6, 7 равны 0.35 эВ. Такое же значение
имеет энергия активации исчезновения ЦП-1. Отсюда можно сделать
вывод о том, что в образовании центров ЦП-2, 3, 6, 7 принимают участие
дефекты, связанные с ЦП-1.
Учитывая, что соотношения между площадями под разными пиками
ТСП, образующимися при ФХР, в разных кристаллах могут сильно
отличаться, а также тот факт, что при достижении предельных значений
пиков 2, 3, 6, 7 пик 1 не исчезал полностью, можно сделать вывод, что в
процессе ФХР, по-видимому, имеет место ассоциация ЦП-1 с другими
дефектами или друг с другом. Если ЦП-1 простой дефект, то энергия
активации этого процесса должна определяться энергией активации
диффузии ЦП-1.
диффузии, то для их идентификации во всех случаях необходимо проведение
специальных опытов. Одним из таких опытов является измерение
спектральной зависимости эффекта. Если имеет место механизм диффузии
центра в возбужденном состоянии, в спектре должен наблюдаться
специфический максимум, соответствующий расстоянию между основным и
возбужденным уровнями.

     1.12. Основные типы ФХР в кристаллах АII BVI
     Большинство приведенных выше механизмов удалось наблюдать при
изучении процессов фотостимулированного преобразования дефектов в
кристаллах CdS и его аналогов.
     Исследованные в CdS ФХР можно разделить на следующие типы:
     – ассоциация мелких доноров с другими дефектами;
     – диссоциация ДА-пар;
     – диссоциация сложных комплексов, состоящих из ДА-пар и глубоких
акцепторов;
     – ассоциация мелких доноров между собой;
     – распад ассоциатов доноров;
     – выход доноров из стоков в объем кристалла.
     1) Ассоциация доноров с другими имеющимися в кристалле
         дефектами (процесс 1)
     Процессы такого типа протекают, например, в нелегированных
кристаллах CdS, отожженных при температурах 700–1100 К либо в
вакууме, либо в атмосфере N2, Не, либо на воздухе, при освещении их
видимым светом в области температур 150–300 К. Эти процессы приводят
к преобразованию центров прилипания (ЦП) для электронов, что
проявляется, например, в изменении спектров ТСП.
     В результате этой ФХР появляется несколько электронных центров
прилипания ЦП-2 – ЦП-7 (пики ТСП 2-7 на рис. 1.1) и уменьшается
интенсивность пика 1 (уменьшается концентрация центра ЦП-1). Энергии
активации образования ЦП-2, 3, 6, 7 равны 0.35 эВ. Такое же значение
имеет энергия активации исчезновения ЦП-1. Отсюда можно сделать
вывод о том, что в образовании центров ЦП-2, 3, 6, 7 принимают участие
дефекты, связанные с ЦП-1.
     Учитывая, что соотношения между площадями под разными пиками
ТСП, образующимися при ФХР, в разных кристаллах могут сильно
отличаться, а также тот факт, что при достижении предельных значений
пиков 2, 3, 6, 7 пик 1 не исчезал полностью, можно сделать вывод, что в
процессе ФХР, по-видимому, имеет место ассоциация ЦП-1 с другими
дефектами или друг с другом. Если ЦП-1 – простой дефект, то энергия
активации этого процесса должна определяться энергией активации
диффузии ЦП-1.

                                  21