ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
21
диффузии, то для их идентификации во всех случаях необходимо проведение
специальных опытов. Одним из таких опытов является измерение
спектральной зависимости эффекта. Если имеет место механизм диффузии
центра в возбужденном состоянии, в спектре должен наблюдаться
специфический максимум, соответствующий расстоянию между основным и
возбужденным уровнями.
1.12. Основные типы ФХР в кристаллах А
II
B
VI
Большинство приведенных выше механизмов удалось наблюдать при
изучении процессов фотостимулированного преобразования дефектов в
кристаллах CdS и его аналогов.
Исследованные в CdS ФХР можно разделить на следующие типы:
– ассоциация мелких доноров с другими дефектами;
– диссоциация ДА-пар;
– диссоциация сложных комплексов, состоящих из ДА-пар и глубоких
акцепторов;
– ассоциация мелких доноров между собой;
– распад ассоциатов доноров;
– выход доноров из стоков в объем кристалла.
1) Ассоциация доноров с другими имеющимися в кристалле
дефектами (процесс 1)
Процессы такого типа протекают, например, в нелегированных
кристаллах CdS, отожженных при температурах 700–1100 К либо в
вакууме, либо в атмосфере N
2
, Не, либо на воздухе, при освещении их
видимым светом в области температур 150–300 К. Эти процессы приводят
к преобразованию центров прилипания (ЦП) для электронов, что
проявляется, например, в изменении спектров ТСП.
В результате этой ФХР появляется несколько электронных центров
прилипания ЦП-2 – ЦП-7 (пики ТСП 2-7 на рис. 1.1) и уменьшается
интенсивность пика 1 (уменьшается концентрация центра ЦП-1). Энергии
активации образования ЦП-2, 3, 6, 7 равны 0.35 эВ. Такое же значение
имеет энергия активации исчезновения ЦП-1. Отсюда можно сделать
вывод о том, что в образовании центров ЦП-2, 3, 6, 7 принимают участие
дефекты, связанные с ЦП-1.
Учитывая, что соотношения между площадями под разными пиками
ТСП, образующимися при ФХР, в разных кристаллах могут сильно
отличаться, а также тот факт, что при достижении предельных значений
пиков 2, 3, 6, 7 пик 1 не исчезал полностью, можно сделать вывод, что в
процессе ФХР, по-видимому, имеет место ассоциация ЦП-1 с другими
дефектами или друг с другом. Если ЦП-1 – простой дефект, то энергия
активации этого процесса должна определяться энергией активации
диффузии ЦП-1.
диффузии, то для их идентификации во всех случаях необходимо проведение специальных опытов. Одним из таких опытов является измерение спектральной зависимости эффекта. Если имеет место механизм диффузии центра в возбужденном состоянии, в спектре должен наблюдаться специфический максимум, соответствующий расстоянию между основным и возбужденным уровнями. 1.12. Основные типы ФХР в кристаллах АII BVI Большинство приведенных выше механизмов удалось наблюдать при изучении процессов фотостимулированного преобразования дефектов в кристаллах CdS и его аналогов. Исследованные в CdS ФХР можно разделить на следующие типы: – ассоциация мелких доноров с другими дефектами; – диссоциация ДА-пар; – диссоциация сложных комплексов, состоящих из ДА-пар и глубоких акцепторов; – ассоциация мелких доноров между собой; – распад ассоциатов доноров; – выход доноров из стоков в объем кристалла. 1) Ассоциация доноров с другими имеющимися в кристалле дефектами (процесс 1) Процессы такого типа протекают, например, в нелегированных кристаллах CdS, отожженных при температурах 700–1100 К либо в вакууме, либо в атмосфере N2, Не, либо на воздухе, при освещении их видимым светом в области температур 150–300 К. Эти процессы приводят к преобразованию центров прилипания (ЦП) для электронов, что проявляется, например, в изменении спектров ТСП. В результате этой ФХР появляется несколько электронных центров прилипания ЦП-2 – ЦП-7 (пики ТСП 2-7 на рис. 1.1) и уменьшается интенсивность пика 1 (уменьшается концентрация центра ЦП-1). Энергии активации образования ЦП-2, 3, 6, 7 равны 0.35 эВ. Такое же значение имеет энергия активации исчезновения ЦП-1. Отсюда можно сделать вывод о том, что в образовании центров ЦП-2, 3, 6, 7 принимают участие дефекты, связанные с ЦП-1. Учитывая, что соотношения между площадями под разными пиками ТСП, образующимися при ФХР, в разных кристаллах могут сильно отличаться, а также тот факт, что при достижении предельных значений пиков 2, 3, 6, 7 пик 1 не исчезал полностью, можно сделать вывод, что в процессе ФХР, по-видимому, имеет место ассоциация ЦП-1 с другими дефектами или друг с другом. Если ЦП-1 – простой дефект, то энергия активации этого процесса должна определяться энергией активации диффузии ЦП-1. 21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 19
- 20
- 21
- 22
- 23
- …
- следующая ›
- последняя »