Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 22 стр.

UptoLike

Составители: 

22
2) Процессы диссоциации ДА-пар и сложных комплексов (процессы 2, 3)
Эти процессы, приводящие к преобразованию центров
рекомбинации, наблюдались в кристаллах CdS:Li и существенно зависели
от спектрального состава используемого света.
Процесс 2 состоит в распаде ДА-пар на изолированные мелкие
доноры и глубокие акцепторы. В кристаллах CdS:Li этот процесс
проявляется в уменьшении интенсивности донорно-акцепторной полосы
люминесценции с λ
max
= 0.95 мкм, что обусловлено переходом свободного
электрона на уровень акцептора ДА-пары, состоящей из мелкого донора
междоузельного лития и глубокого акцептора r-центра
фоточувствительности. Одновременно возрастает интенсивность
люминесценции полосы с λ
max
= 1.01 мкм, связанной с излучательным
захватом свободного электрона изолированным r-центром (рис. 1.11, а), и
увеличивается фоточувствительность. В спектре ТСП при этом
наблюдается увеличение пика при 70 К, обусловленного мелкими
изолированными донорами атомами междоузельного лития (рис. 1.11, б).
Рис. 1.11: а спектры фотолюминесценции при 80 К в кристаллах
СdS:Li; б спектры ТСП; в схема энергетических уровней до (1) и после
(2) протекания процесса распада ДА-пар
Подобный процесс наблюдался и в чистых кристаллах CdS. Здесь,
возможно, также происходил фототермический распад ДА-пары,
состоящей из глубокого акцептора r-центра и мелкого донора. После
распада ДА-пары появились изолированные r-центры (росла
соответствующая полоса люминесценции 1.0–1.06 мкм) и мелкие
изолированные доноры центры прилипания (увеличивался пик ТСП при
Т = 45 К).
Спектральный состав света, вызывающего обе описанные ФХР,
соответствует высвобождению в валентную зону неравновесных дырок,
накопленных на r-центрах. Эти дырки затем захватываются на другие типы
центров рекомбинации, в том числе и на рассматриваемые исходные
ДА-пары. Этот захват происходит безызлучательно (отсутствует
длинноволновая люминесценция). Таким образом, распад ДА-пар
происходит при безызлучательном захвате акцептором неравновесных
дырок. При этом наряду с исчезновением сил кулоновского
взаимодействия между донором и акцептором в принципе может иметь
место и РСП, облегчающий распад пары.
      2) Процессы диссоциации ДА-пар и сложных комплексов (процессы 2, 3)
      Эти    процессы,    приводящие     к    преобразованию    центров
рекомбинации, наблюдались в кристаллах CdS:Li и существенно зависели
от спектрального состава используемого света.
      Процесс 2 состоит в распаде ДА-пар на изолированные мелкие
доноры и глубокие акцепторы. В кристаллах CdS:Li этот процесс
проявляется в уменьшении интенсивности донорно-акцепторной полосы
люминесценции с λmax = 0.95 мкм, что обусловлено переходом свободного
электрона на уровень акцептора ДА-пары, состоящей из мелкого донора –
междоузельного     лития    и    глубокого     акцептора   –    r-центра
фоточувствительности.     Одновременно      возрастает    интенсивность
люминесценции полосы с λmax = 1.01 мкм, связанной с излучательным
захватом свободного электрона изолированным r-центром (рис. 1.11, а), и
увеличивается фоточувствительность.        В спектре ТСП при этом
наблюдается увеличение пика при 70 К, обусловленного мелкими
изолированными донорами – атомами междоузельного лития (рис. 1.11, б).




      Рис. 1.11: а – спектры фотолюминесценции при 80 К в кристаллах
СdS:Li; б – спектры ТСП; в – схема энергетических уровней до (1) и после
(2) протекания процесса распада ДА-пар
      Подобный процесс наблюдался и в чистых кристаллах CdS. Здесь,
возможно, также происходил фототермический распад ДА-пары,
состоящей из глубокого акцептора – r-центра и мелкого донора. После
распада    ДА-пары    появились    изолированные    r-центры    (росла
соответствующая полоса люминесценции 1.0–1.06 мкм) и мелкие
изолированные доноры – центры прилипания (увеличивался пик ТСП при
Т = 45 К).
      Спектральный состав света, вызывающего обе описанные ФХР,
соответствует высвобождению в валентную зону неравновесных дырок,
накопленных на r-центрах. Эти дырки затем захватываются на другие типы
центров рекомбинации, в том числе и на рассматриваемые исходные
ДА-пары. Этот захват происходит безызлучательно (отсутствует
длинноволновая люминесценция). Таким образом, распад ДА-пар
происходит при безызлучательном захвате акцептором неравновесных
дырок. При этом наряду с исчезновением сил кулоновского
взаимодействия между донором и акцептором в принципе может иметь
место и РСП, облегчающий распад пары.
                                   22