Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 24 стр.

коэффициентов диффузии Ag и Сl. Последняя и приводит к появлению
специфических неоднородностей, вызывающих остаточную проводимость.
      Примером процесса 3 является преобразование сложного центра
свечения r', обусловливающего полосу люминесценции 1.2 мкм в
кристаллах       CdS:Li. Эта полоса присутствует после охлаждения
кристаллов до 77 К в темноте. В спектре ее возбуждения имеется
селективная полоса 0.58 мкм, что дает основание полагать, что центр r'
является комплексом, состоящим из «возбуждающей» ДА-пары и центра
свечения. После охлаждения до 77 К при освещении светом с λ = 0.58 мкм
полоса 1.2 мкм полностью исчезает и одновременно            возрастают
интенсивности оранжевой (0.64 мкм) и ИК-1 (1.01 мкм) полос
люминесценции, обусловленных захватом электрона соответственно на так
называемые о- и r-центры свечения (рис. 1.6). Обе последние полосы
эффективно возбуждаются зона-зонным светом. Исследование спектров
возбуждения полосы люминесценции 0.64 мкм показало, что максимум
0.58 мкм связан, по-видимому, с прямым возбуждением ДА-пары,
обусловливающей полосу свечения 0.64 мкм. Существенно, что в
результате этой ФХР не наблюдается появления новых пиков ТСП, т. е.
новые доноры не образуются.
      В результате приведенной ФХР (реакция 3) происходит распад
сложного центра r' на о- и r-центры свечения. Схема энергетических
уровней до и после ФХР представлена на рис. 1.6 б).
      Процесс распада сложного комплекса протекает при освещении
светом из полос 0.58 мкм и 0.72 мкм, вызывающим перезарядку r'-центра.
При этом дырка на r'-центре возникает либо непосредственно при
возбуждении электрона из него в зону проводимости (полоса 0.72 мкм),
либо в результате оже-процесса между компонентами комплекса (полоса
0.58 мкм). Поскольку свободный электрон рекомбинирует с r'-центром
излучательно, то в этом случае РСП не имеет места. Таким образом, для
диссоциации комплекса необходимо лишь перезарядить глубокий
акцептор, исключив кулоновское взаимодействие между компонентами.
      3) Ассоциация мелких доноров (процесс 4) и распад образовавшихся
ассоциатов (процесс 5)
      Основным проявлением процесса 4, протекающего в кристаллах
CdS:Cu при освещении их видимым светом в области температур
270–350 К, является уменьшение величины фототока на несколько
порядков в процессе освещения, т. е. фотоутомляемость. Во всех
случаях фотоутомляемость сопровождается изменением спектров
поглощения, фотолюминесценции и оптического гашения фототока.
Происходит также существенное уменьшение концентрации мелких
центров прилипания ЦП-1 (пик ТСП при 70 К) и возникновение
глубоких центров, проявляющихся в спектрах ТСП (пик ТСП при 360 К
на рис. 1.3, а).
                                  24