Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 27 стр.

      Одновременно увеличивается концентрация мелких центров прилипания,
обусловливающих пик ТСП при Т = 45 К (рис. 1.13, в). Эти центры прилипания
подвижны в решетке CdS при температурах 350–400 К и дрейфуют в
электрическом поле Е = 103 В·см–1 от анода к катоду, т. е. являются донорами.
Возможность изменять их концентрацию с помощью дрейфа в электрическом
поле в заданной части образца позволила выяснить причину роста
фоточувствительности. Между электродами 1 и 2 (рис. 1.12, а) измерялись
спектры фототока и фотолюминесценции до и после протекания ФХР, а также
после приложения «тянущего» поля Е = 103 В·см–1 в темноте при Т = 350–400 К
(электроды 1 и 2 при этом закорачивались и служили катодом). Рост
концентрации мелких доноров у катода приводил к увеличению тока в этой
области. Подбирая условия проведения ФХР и дрейфа (интенсивность
освещения, напряженность тянущего поля и время выдержки при освещении и
под напряжением) таким образом, чтобы значения фототока, измеренные
между электродами 1 и 2, при освещении зона-зонным светом в состоянии
после ФХР и после дрейфа были одинаковыми, в обоих случаях было получено
одинаковое изменение спектров фототока и фотолюминесценции (рис. 1.13, а, б).
      Таким образом, в процессе этой ФХР происходит фотостимулированное
выделение мелких доноров, компенсирующих r-центры, что приводит к росту
времени     жизни     фотоэлектронов     и,     следовательно,     к    росту
фоточувствительности кристаллов. По-видимому, такими донорами являются
атомы Cdi.




       Рис. 1.13. Спектры при 80 К в кристаллах CdS: а – фототока; б –
фотолюминесценции; в – ТСП, 1, 2 (см. рис. 1.12, а) в исходном состоянии
(1), после протекания ФХР (2) и после приложения поля (точки на кривых
2), когда электроды 1, 2 служили катодом
                                     27