Фотостимулированные явления в твердых телах. Клюев В.Г. - 28 стр.

       1.13. Связь деградационных явлений в фоторезисторах, светодиодах
и полупроводниковых лазерах с фотостимулированными процессами
       Как показывают исследования, с протеканием описанных выше
процессов связана нестабильность фотоэлектрических параметров
фоторезисторов и других фотоэлектрических приборов на основе
соединений АIIBIV и гетероструктур с этими соединениями.
Нестабильность, в частности, проявляется в том, что освещение вызывает
изменение фоточувствительности приборов (уменьшение или увеличение).
Длительное хранение приборов в темноте, как правило, приводит к
восстановлению исходных параметров. То есть процессы, приводящие к
нестабильности, являются обратимыми.
       Изучение     явления       уменьшения     под     действием   света
фоточувствительности фоторезисторов на основе спеченных слоев
Cd:Cu:Cl (фотоутомляемость) показало, что в этих слоях (как и в
монокристаллах       Cd:Cu)      уменьшение     фототока    сопровождается
уменьшением интенсивности ИК-1 полосы люминесценции, а также
уменьшением концентрации центров прилипания. Сопоставление
изменений      соответствующих        характеристик    монокристаллов    и
фоторезисторов, а также измерение энергий активации процессов
уменьшения фоточувствительности и восстановления исходного состояния
показали, что в резисторах, как и в монокристаллах, фотоутомляемость
обусловлена фотостимулированным процессом объединения мелких
доноров Cdi в ассоциаты, представляющие собой центры быстрой
рекомбинации.
       Увеличение фоточувствительности фоторезисторов связывается с
другими процессами фотостимулированного преобразования локальных
центров, которые наблюдались в монокристаллах CdS. В результате этих
процессов имеет место распад ДА-пар и сложных комплексов, состоящих
из ДА-пар и глубоких акцепторов, и с фотостимулированным отходом
доноров от стоков.
       Таким образом, протекание ФХР может служить причиной световой
нестабильности фоторезисторов, заключающейся в том, что данной
интенсивности света могут соответствовать разные значения фототока в
зависимости от предыстории освещения образца. С фотостимулированными
процессами преобразования локальных центров может быть также связана их
температурная нестабильность – изменение темнового тока (Iт) и фототока
(Iф) при нагревании и охлаждении образца и появление гистерезисных петель
на зависимостях (Iт) и (Iф) при термоциклировании и переменном освещении.

     1.14. Расчет концентрации дефектов, образующихся в результате ФХР
     1. Рассмотрим реакцию образования комплекса в результате
перезарядки при освещении центра прилипания для электронов, его
диффузии и объединения с другим дефектом. В этом случае кинетика
                                   28