Составители:
Рубрика:
61
характеристики. Из зависимостей напряжений на емкости и индук
тивности видно, что их максимальные значения достигаются при
разных частотах. Сдвиг между максимальными значениями напря
жений
m
C
U
и
m
L
U
определяется добротностью.
Чем выше добротность, тем ближе максимумы напряжений на емко
сти и индуктивности, т.е. меньше разность частот между
1
1 и
2
1 .
3.3. Резонанс токов в параллельном контуре
Рассмотрим цепь с параллельным соединением G, L, C (рис. 3.9).
Запишем входную комплексную проводимость и выделим мни
мую часть
12
1
2
вх
1
.
LC
YGjBBGj C
L
34 4 34 45
5
Как известно, при резонансе
вх
вх
arctg 0
B
G
1 22
и
вх
0B 1 , следова
тельно, реактивные проводимости индуктивности и емкости одина
ковы и эта величина называется волновой проводимостью g
.
Lo Co
BB112 (3.13)
Если выразить проводимости через частоту и параметры, то условие
резонанса в параллельном контуре (3.13) можно записать подругому
1
.
o
o
C
L
1 2
2
(3.14)
Тогда резонансная частота параллельного контура, индуктивность
и емкость связаны следующим образом:
000
22
00
111
, , .LC
CLLC
1 222
11
(3.15)
Резонанс в цепи в соответствии с (3.14) можно достигнуть измене
нием частоты
1
, индуктивности L и емкости C.
1
Рис. 3.9
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 59
- 60
- 61
- 62
- 63
- …
- следующая ›
- последняя »
