Рубрика:
Рис. 1
2) в примесном полупроводнике n-типа (электронном) электроны забра-
сываются с донорных уровней в зону проводимости, и увеличивается электрон-
ная проводимость (рис. 1, б);
3) в полупроводнике p-типа (дырочном) электроны вырываются из ва-
лентной зоны и забрасываются на акцепторные уровни, при этом возрастает
дырочная проводимость (рис. 1, в).
При освещении находящегося под напряжением полупроводника в нем
течет световой ток I.
3. Принцип метода измерений и рабочая формула
Разность между световым и темновым током I
Т
дает значение фототока,
протекающего в сопротивлении:
I
= I
−
I (3)
Ф Т
.
Величина фотопроводимости определяется как
G =I
/U, (4)
Ф
где U – приложенное напряжение.
Вольт-амперной характеристикой фотосопротивления называют зависи-
мость фототока I
ф
от приложенного к полупроводнику напряжения U при неиз-
менном лучистом потоке Ф.
Световая характеристика фотосопротивления представляет собой зави-
симость фототока I
ф
от светового потока Ф при неизменном напряжении.
33
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 31
- 32
- 33
- 34
- 35
- …
- следующая ›
- последняя »
