Рубрика:
Фотосопротивление включается в цепь, схема которой приведена на
рис. 2. Здесь:
И – источник тока; Р – реостат; V – вольтметр; Ф – фотосопротив-
ление;
А – микроамперметр; К – ключ.
Фотосопротивление и электролампа находятся на оптической скамье.
5. Порядок выполнения работы
1. Включают схему (рис. 2) и, не зажигая источника света и закрыв фо-
тосопротивление от постороннего света, измеряют темновой ток при 7…8 зна-
чениях напряжения в заданном интервале. Результаты измерений заносят в таб-
лицу, прилагаемую к работе.
2. Включают лампу, снимают значения фототока при тех же значениях
напряжения, при которых измеряли темновой ток.
Для получения световой характеристики определяют фототок при неиз-
менном напряжении и различных световых потоках
Ф. Изменение Ф достигает-
ся изменением расстояния до источника света от фотосопротивления. Измере-
ния начинаются при
r = 20 см, а затем их производят при 6…7 различных рас-
стояниях.
6. Обработка результатов
1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-амперную харак-
теристику полупроводника.
2. Вычислив величины фототока и световых потоков, строят график
I
ф
(Ф) (см. форму 1).
3. Освещенность
Е и лучистый поток Ф вычисляют так же, как в работе
«Изучение внешнего фотоэффекта».
4. Рассчитать удельную и интегральную чувствительности по формулам
(5), (6) и, используя данные из формы 2.
5. Определить среднее значение интегральной и удельной чувствитель-
ностей и границу доверительного интервала
γ
и (см. раздел «Обработка ре-
зультатов измерений» и [7]).
0
γ
35
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 33
- 34
- 35
- 36
- 37
- …
- следующая ›
- последняя »
