Рубрика:
РАБОТА 87. ИЗУЧЕНИЕ РАБОТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО
ИЗЛУЧАТЕЛЯ
1. Цель работы
1. Изучение процесса излучательной рекомбинации в полупроводниках.
2. Определение зависимости внешнего квантового
выхода и мощности
излучения полупроводникового источника излучения от тока.
2. Краткая теория исследуемого явления
В полупроводнике одновременно с процессом генерации – образованием
электронно-дырочных пар – происходит обратный процесс – воссоединение
электрона и дырки. Такой процесс называется рекомбинацией. Энергия выделя-
ется в виде тепловой (безызлучательная рекомбинация) или в виде кванта све-
тового излучения или в виде той и другой.
изл
hυ
В зависимости от способа возбуждения электронов различают следую-
щие виды излучения кристаллов:
1) фотолюминесценция – излучение, возникающее в результате воз-
буждения электронов квантами света с энергией
изл
hh
υ
>
υ
;
2) катодолюминесценция – излучение, возникающее в результате воз-
буждения электронов потоком электронов с энергией
изл
hЕ
υ
> ;
3) электролюминесценция. Для её осуществления из
p- и n-полупро-
водников образуют
p-n структуру (такая структура называется диодом, а диоды,
которые излучают свет – светодиодами) и, прикладывая напряжение к диодам,
переводят электроны из
n-полупроводника в р-полупроводник. Этот процесс
называется инжекцией. В
р-полупроводнике электроны рекомбинируют с дыр-
ками, в результате чего излучаются фотоны с энергией
изл
h
υ
(рис. 1, а) (переход
с излучением фотона указан волнистой стрелкой).
38
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 36
- 37
- 38
- 39
- 40
- …
- следующая ›
- последняя »
