Рубрика:
а) б) в) г)
Рис. 1
Однако такая излучательная рекомбинация имеет место только в очень
чистых и совершенных по кристаллической структуре полупроводниках и по-
этому почти не наблюдается.
В примесных полупроводниках (в качестве примеси могут выступать не
только вводимые примеси, но и разного рода дефекты кристаллической решет-
ки – дислокации, вакансии и т.д.) важную роль для излучения играют локализо-
ванные центры рекомбинации, энергетические уровни которых попадают в за-
прещенную зону полупроводника. На рис. 1,
б, в, г приведены энергетические
диаграммы для трех моделей: б) энергетический уровень центра рекомбинации
расположен близко к зоне проводимости; в) энергетический уровень центра ре-
комбинации расположен близко к валентной зоне; г) имеют место два уровня
примеси: основной уровень, расположенный вблизи валентной зоны, имеет
большую вероятность захвата дырки и возбужденный уровень, расположенный
вблизи зоны проводимости, имеет большую вероятность захвата электрона. По-
сле того, как произошли оба захвата (рис
. 1, б, в, г,), происходит переход элек-
трона с возбужденного уровня на основной, сопровождающийся излучением
света. Переходы, показанные на рис. 1,
б, в, г прямыми стрелками, являются
безызлучательными, а выделившаяся при таком переходе энергия идет на на-
гревание кристаллической решетки.
Явления генерации рекомбинационного излучения при инжекции нерав-
новесных носителей в
р-n переходе служат для создания широко используемых
в технике инжекционных источников инфракрасного (ИК) и видимого излуче-
39
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 37
- 38
- 39
- 40
- 41
- …
- следующая ›
- последняя »
