Составители:
47
РАБОТА 86. ИЗУЧЕНИЕ ВНУТРЕННЕГО ФОТОЭФФЕКТА
В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
1. Цель работы
Ознакомление с внутренним фотоэффектом в полупроводнике, оценка
чувствительности фотосопротивления к свету.
2. Основные теоретические положения
Удельная электропроводность полупроводника определяется соотноше-
нием:
pn
epuenu
+
=
σ
, (1)
где n, p – концентрация свободных электродов и дырок соответственно;
np
u,u
– их подвижность; e – заряд электрона.
Подвижность носителей тока сравнительно слабо зависит от температу-
ры, а их концентрация сильно меняется с температурой и определяется функци-
ей распределения носителей заряда Ферми- Дирака [1].
()
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
μ−
+
=
kT
E
f
exp1
1
, (2)
где μ– положение уровня Ферми (химического потенциала) в энергетической
зоне.
Внутренний фотоэффект – процесс образования добавочных свободных
носителей тока, а значит и увеличения электропроводности проводника под
действием света. Добавочную проводимость, обусловленную внутренним фо-
тоэффектом, называют фотопроводимостью.
Существует три пути увеличения концентрации носителей
под действи-
ем света:
1) в собственном проводнике кванты света вырывают электроны из ва-
лентной (заполненной) зоны и забрасывают их в зону проводимости, при этом
одновременно образуется равное число дырок в валентной зоне (рис. 1, а);
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »
