Составители:
48
Рис. 1
2) в примесном полупроводнике n-типа (электронном) электроны забра-
сываются с донорных уровней в зону проводимости, и увеличивается электрон-
ная проводимость (рис. 1, б);
3) в полупроводнике p-типа (дырочном) электроны вырываются из ва-
лентной зоны и забрасываются на акцепторные уровни, при этом возрастает
дырочная проводимость (рис. 1, в).
При освещении
находящегося под напряжением полупроводника в нем
течет световой ток I.
3. Принцип метода измерений и рабочая формула
Разность между световым и темновым током IB
Т
B дает значение фототока,
протекающего в сопротивлении:
I
B
Ф
B= I
−
IB
Т
B.B
B (3)
Величина фотопроводимости определяется как
G =I
B
Ф
B/U, (4)
где U – приложенное напряжение.
Вольт-амперной характеристикой фотосопротивления называют зависи-
мость фототока I
B
ф
Bот приложенного к полупроводнику напряжения U при неиз-
менном лучистом потоке Ф.
Световая характеристика фотосопротивления представляет собой зави-
симость фототока IB
ф
Bот светового потока Ф при неизменном напряжении.
Удельной чувствительностью γ
B
0
B фотосопротивления называют величи-
ну, равную отношению фотопроводимости к величине светового потока:
,
U
I
Ф
G
ф
ф
==γ
0
. (5)
где γ
B
0
B – удельная чувствительность, мкА/(лм P
.
P
В).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 46
- 47
- 48
- 49
- 50
- …
- следующая ›
- последняя »
