Составители:
50
5. Порядок выполнения работы
1. Включают схему (рис. 2) и, не зажигая источника света и закрыв фо-
тосопротивление от постороннего света, измеряют темновой ток при 7…8 зна-
чениях напряжения в заданном интервале. Результаты измерений заносят в таб-
лицу, прилагаемую к работе.
2. Включают лампу, снимают значения фототока при тех же значениях
напряжения, при которых измеряли темновой ток.
Для
получения световой характеристики определяют фототок при неиз-
менном напряжении и различных световых потоках
Ф. Изменение Ф достигает-
ся изменением расстояния до источника света от фотосопротивления. Измере-
ния начинаются при
r = 20 см, а затем их производят при 6…7 различных рас-
стояниях.
6. Обработка результатов
1. По формуле (3) вычисляют фототок и строят вольт-амперную харак-
теристику полупроводника.
2. Вычислив величины фототока и световых потоков, строят график
IB
ф
B (Ф) (см. форму 1).
3. Освещенность
Е и лучистый поток Ф вычисляют так же, как в работе
«Изучение внешнего фотоэффекта».
4. Рассчитать удельную и интегральную чувствительности по формулам
(5), (6) и, используя данные из формы 2.
5. Определить среднее значение интегральной и удельной чувствитель-
ностей и границу доверительного интервала
γ
и
0
γ (см. раздел «Обработка ре-
зультатов измерений» и [7]).
7. Таблица измерений
UВольт-амперная характеристикаU (снимается при расстоянии r между ФС и лам-
пой)
r =... см.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 48
- 49
- 50
- 51
- 52
- …
- следующая ›
- последняя »
