Квантовая механика и квантовая химия. Экспериментальные основы квантовой механики. Кондрашин В.Ю. - 41 стр.

UptoLike

Составители: 

41
составляют несколько десятых нанометров и менее, и соотношение
λ
d,
необходимое для возникновения дифракции, выполняется.
Кристаллы обладают высокой степенью упорядоченности. Атомы в них
располагаются в трёхмерно-периодической кристаллической решётке, т. е.
образуют пространственную дифракционную решётку для соответствующих
длин волн. Дифракция волн на такой решётке происходит в результате
рассеяния на системах параллельных кристаллографических плоскостей, на
которых в строгом порядке расположены рассеивающие центры. Условием
наблюдения дифракционного максимума при отражении от кристалла является
БрэггаВульфа условие:
2dsin θ = n
λ
, (9-8)
где θ - угол, под которым падает пучок электронов на данную
кристаллографическую плоскость (угол скольжения),
d - расстояние между соответствующими кристаллографическими
плоскостями.
В опыте Дэвиссона и Джермера при «отражении» электронов от
поверхности кристалла никеля при определённых углах отражения возникали
максимумы (рис. 17). Эти максимумы отражённых пучков электронов
Рис. 17. Запись дифракционных максимумов в опыте ДэвиссонаДжермера
по дифракции электронов при различных углах поворота кристалла
ϕ
для двух значений угла отклонения электронов θ и двух
значений ускоряющего напряжения U. Максимумы отвечают
отражению от различных кристаллографических плоскостей, индексы
которых указаны в скобках.
                                    41
составляют несколько десятых нанометров и менее, и соотношение λ ≤ d,
необходимое для возникновения дифракции, выполняется.
     Кристаллы обладают высокой степенью упорядоченности. Атомы в них
располагаются в трёхмерно-периодической кристаллической решётке, т. е.
образуют пространственную дифракционную решётку для соответствующих
длин волн. Дифракция волн на такой решётке происходит в результате
рассеяния на системах параллельных кристаллографических плоскостей, на
которых в строгом порядке расположены рассеивающие центры. Условием
наблюдения дифракционного максимума при отражении от кристалла является
Брэгга — Вульфа условие:
           2dsin θ = nλ,                                        (9-8)
   где θ - угол, под которым падает пучок электронов на данную
кристаллографическую плоскость (угол скольжения),
       d - расстояние между соответствующими кристаллографическими
плоскостями.
     В опыте Дэвиссона и Джермера при «отражении» электронов от
поверхности кристалла никеля при определённых углах отражения возникали
максимумы (рис. 17). Эти максимумы отражённых пучков электронов




Рис. 17. Запись дифракционных максимумов в опыте Дэвиссона — Джермера
         по дифракции электронов при различных углах поворота кристалла ϕ
         для двух значений угла отклонения электронов θ и двух
         значений ускоряющего напряжения U. Максимумы отвечают
         отражению от различных кристаллографических плоскостей, индексы
         которых указаны в скобках.