Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

27
ПРИЛОЖЕНИЕ 1
МАТЕРИАЛЫ ПОДЛОЖЕК ГИС
Материал
Характеристика материала
Стекло
С48-3,
НПО.027.600
Ситалл
СТ50-1,
ОСТIIПО.
094.022-72
Керамика
22ХС,
аЯО.027.
002ТУ
Керамика
глазурованная
ШИО.781
001ТУ
Керамика
на основе
окиси
берилия
«Брокерит-3»
НТХО.027.
023
Класс чистоты поверхности 14 13 – 14 12 14 12
Температурный коэффициент
линейного расширения
10⋅
α
, I/К
4,8
5,0
6,0
7,6
6,1
Теплопроводность
λ
, Вт/(м·К)
0,84 – 1,34 1,43 8,40 1,05 – 1,47 210,00
Относительная диэлектрическая
проницаемость на частоте 1МГц
3,7 – 8,0
8,5
10,3
13,0 – 16,0
6,3
Тангенс угла диэлектрических
потерь на частоте 1 МГц
4
10⋅
δ
tg
15
20
6
20
3 – 6
Электрическая мощность, кВ/мм 40 40 50 50 50
Удельное сопротивление, Ом·см 10
17
10
15
10
14
10
14
10
15
Температура размягчения, К 1020 990 1870 1870 1870

Страницы