Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 7 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

7
рассеивания p
0
; среднее значение
0
ρ
α
и допуск )(
0
α
ρ
δ
∆
±
температурного
коэффициента сопротивления (ТКС); среднее значение
К
СТ
0
ρ
и допуск
)(
0
ρ
δ
CT
K∆± коэффициента старения.
Расчет резистора начинают с определения коэффициента формы по
формуле (3.2).
а б в
Рис.3.2. Конструкция резисторов сложной формы: «змейка» (а),
«меандр» (б), элементы сопряжения (в) - К
фс
=2,55 для Г-образного и К
фс
=4
для П-образного элемента.
Затем определяют допустимую величину случайной составляющей поля
допуска
доп
R
R
∑
∆
)(
δ
:
+
Σ
Σ
∆
−
∆
=
∆
)(
|)(|
)(
R
R
M
R
R
R
R
доп
доп
ε
δ
δ
; (3.3)
|)(|
|)(|
)(
−
Σ
Σ
∆
−
∆
=
∆
R
R
M
R
R
R
R
доп
доп
ε
δ
δ
; (3.4)
где ε - коэффициент запаса на уход параметров под действием
неучтенных дестабилизирующих факторов: радиация, атмосферное
давление и др.; ε≈1,1∼1,2;
+
Σ
∆
)(
R
R
M
и
−
Σ
∆
)(
R
R
M
- алгебраические суммы положительных и
отрицательных средних значений погрешностей сопротивления резистора,
вызванных изменением температуры окружающей среды и старением
материала.
Средние значения погрешностей сопротивления определяются
выражениями
%100)()(
max0
max
HT
TT
R
R
M
−=
∆
ρα
; (3.5)
%100)()(
min0
min
HT
TT
R
R
M
−=
∆
ρα
; (3.6)
%100)(
0 рабCTСТ
tK
R
R
M
ρ
=
∆
; (3.7)
где Т
Н
- температура нормальных климатических условий (293 К).
L
a
b
b
2b
b
3b
b
b
В

Страницы