Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

6
Величина сопротивления пленочного резистора определяется
выражением:
kфk
v
RKR
db
l
R 22
0
+=+=
ρ
ρ
, (3.1)
где
ρ
v
– удельное объёмное сопротивление;
ρ
0
- удельное поверхностное сопротивление резистивной пленки,
численно равное сопротивлению резистора квадратной формы;
К
ф
=
b
l
- коэффициент формы резистора;
R
k
- переходное сопротивление областей контактов резистивной и
проводниковой пленок.
Обычно (при R>10 Ом) сопротивление областей контактов значительно
меньше сопротивления резистивной пленки, поэтому из формулы (3.1):
ф
KR
0
ρ
≈
. (3.2)
Исходными данными для расчета резисторов являются:
- номинальная величина сопротивления R, Ом;
- допустимое отклонение фактической величины сопротивления от
номинала
)(
R
R
∆
±
δ
доп. %;
- мощность, рассеиваемая резистором, P, Вт;
- коэффициент нагрузки K
н
(;0.15.0
−
≈
н
K при повышенных
требованиях к надежности следует выбирать меньшие значения K
н
из
рекомендованного диапазона);
- условия эксплуатации и хранения: минимальная Т
мин
и
максимальная Т
макс
температуры окружающей среды, К;
продолжительность эксплуатации t
раб
или хранения t
хран
, ч;
- конструктивно-технологические ограничения: минимально
допустимая ширина пленочного резистора b
мин
(для тонкопленочных
микросхем b
мин
=100мкм, для толстопленочных - b
мин
=800мкм), абсолютные
погрешности размеров контура пленочного элемента
)( b∆
±
δ
и )( l∆±
δ
(для тонкопленочной технологии мкмlb 105)()( −
≈
∆
≈
∆
δ
δ
, для
толстопленочной – 50 -100мкм).
При выборе материала резистивной пленки рекомендуется стремиться
к тому, чтобы все резисторы, расположенные на одной подложке, имели
одинаковое поверхностное сопротивление. Материал выбирают (см. прил.
III) с таким средним значением
0
ρ
, чтобы величины К
ф
, определяемые для
всех резисторов микросхемы из формулы (3.2), лежали в пределах
0.1<К
ф
<10 для масочных методов изготовления ГИС и в пределах
0.1<К
ф
<50 для фотолитографических методов. Высокоомные резисторы
микросхемы, для которых получается К
ф
>10(50) следует проектировать в
виде резисторов сложной формы, конструкция которых показана на рис.3.2
(толстопленочные резисторы, как правило, выполняются только
прямоугольной формы).
Для выбранного материала из прил. III определяются характеристики:
среднее значение
0
ρ
и допуск )(
0
0
ρ
ρ
δ
∆
± ; допустимая удельная мощность

Страницы