Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

4
Частные технические требования определяются техническим заданием и
на основе анализа электрической схемы. К числу основных частных
технических требований относятся:
- требования к электрическим параметрам микросхемы, их стабильности
и допустимым погрешностям;
- требования по устойчивости к механическим, климатическим и другим
внешним воздействиям [б] ;
- рекомендуемая цоколевка микросхемы.
Если требования к цоколевке не оговорены, то рекомендуется
следующая: 1-й вывод корпуса - общий, крайние выводы - питающие
напряжения.
3. КОНСТРУИРОВАНИЕ ГИБРИДНЫХ
ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ (ГИС)
3.1. Элементы и компоненты ГИС
3.1.1. Подложки
Перечень основных материалов, применяемых для изготовления подло-
жек ГИС, и их свойства приведены в прил. I.
Перспективными и широко распространенными материалами являются
ситаллы, которые в 2-3 раза прочнее стекол. Для мощных ГИС
предпочтительнее использовать керамические материалы, имеющие более
высокую теплопроводность и механическую прочность. Другим важным
качеством керамических подложек является высокая температура
размягчения керамики, что позволяет применять их в производстве
толстопленочных микросхем, платы которых при изготовлении
обрабатываются при высоких температурах.
Обработка рабочих поверхностей подложек тонкопленочных ГИС
должна соответствовать 13-14 классу чистоты, толщина 0,6
-0.1
мм. Для
изготовления толстопленочных ГИС допустимо применять подложки,
обработанные по 8-10 классу чистоты, толщина 1,6
-0.3
мм. Чистота
обработки торцов и нерабочей поверхности подложки должна быть не хуже
6 класса.
3.1.2. Проводники и контактные площадки
С помощью пленочных проводников осуществляется электрическое
соединение элементов и компонентов ГИС. Для присоединения внешних
выводов навесных компонентов, а также для контроля электрических
характеристик микросхемы служат контактные площадки. Внешние
контактные площадки тонкопленочных ГИС соединяются с выводами
корпуса проводниками длиной до 5 мм из золотой (3 л 999,9 ГОСТ 7222-74)
или медной (медь МВ, ТУII Я е 0,021.040-72, покрытие - припой П Ср ОС3-
38,ТУ № 48-07-247-70) проволоки диаметром 40-90 мкм. В
толстопленочных ГИС, выпускаемых в металлополимерных корпусах,
выводы микросхемы диаметром 0,3-1,1 мм обычно припаиваются
непосредственно к внешним контактным площадкам платы.
Характеристики материалов пленочных проводников приведены в прил.
II. В тонкопленочных ГИС используются, как правило, многослойные
системы, состоящие из слоя материала с хорошей адгезией к подложке
(подслой), слоя высокопроводящего материала и защитного покрытия.
Для изготовления проводников и контактных площадок толстопленоч-
ных ГИС применяются пасты, включающие палладий (ТУ 6-09-2025-72),

Страницы