ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
13
Динамический режим. В динамическом режиме на транзистор пода-
ются импульсы прямоугольной формы. При этом в ключе возникают пере-
ходные процессы. На рис. 16 приведены графики зависимости тока коллек-
тора от времени при подаче на вход ключа прямоугольных импульсов.
t
зф
t
ф
t
зс
t
с
Uб
t
t
Uк
U
1
Рис. 16
На рисунке обозначено:
•
t
зф
– задержка фронта. Определяется постоянной времени заряда
входной емкости транзистора: τ
б
=Rб(Сэ+Ск), где Сэ, Ск – барьер-
ные емкости эмиттерного и коллекторного переходов;
•
t
ф
– время формирования фронта. Определяется постоянной време-
ни коллекторно-базового перехода: τ
к
=ВСкRк;
•
t
зс
– время рассасывания неосновных носителей в базе. Определя-
ется временем жизни носителей в базе и коллекторе;
•
t
с
– время формирования среза. Определяется постоянной времени
коллекторной цепи.
Время t
зф
+ t
ф
определяет время включения ключа, а t
зс
+ t
с
– время вы-
ключения ключа.
Для определения времени переходных процессов в ключе собирается
схема по рис. 17. Номиналы резисторов берутся из расчета статического
режима ключа.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »
