ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
12
жение соответствует логическому “0”. Открытое состояние характеризует-
ся током насыщения ключа:
Uпит/RкRк/)UкэUпит(Iк
наснас
≈−=
и степенью насыщения ключа:
S=ВIб/Iк
нас
.
При его увеличении увеличивается нагрузочная способность ключа, сни-
жается влияние дестабилизирующих факторов, но ухудшается быстродей-
ствие. Рекомендуемое значение степени насыщения – 2-3.
Для исследования статического режима ключа собирается схема по
рис. 15.
Uпит
+10 В
PV
Rб
Rк
Eб
+10 В
Uк
Uб
Рис. 15
По заданному току коллектора в режиме насыщения Iк
нас
и коэффи-
циенту насыщения рассчитываются сопротивления резисторов Rк и Rб:
;Uпит/IкRк
нас
≈
.
SIк
В7,0Eб
BRб
нас
−
=
Вольтметром измеряются выходные уровни логического “0” (U
0
) и
логической “1” (U
1
) при заданном коэффициенте насыщения транзистора.
Варианты заданий приведены в таблице 2.
Таблица 2
№ вар.12345678910
Iк, мА 1234512345
S2342342342
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
