ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
10
β
F
Fгр
0,707
β
0
β
0
Рис. 12
Из графика находится граничная частота транзистора F
гр
, при которой
значение β уменьшается в 2 раз. Измерения граничной частоты произво-
дятся при токах эмиттера от 0,1 мА до 50 мА. Строится график зависимо-
сти F
гр
=f(I
э
).
1.1.7. Измерение объемного сопротивления области базы
Схема измерения приведена на рис. 13.
[Space]
PVпост
1 мА
VT1
Рис. 13
При одном и том же токе эмиттера измеряется напряжение V
эб
при
замкнутом и разомкнутом ключе. Сопротивление базы рассчитывается по
формуле: R
б
=(V
бэ2
– V
бэ1
)/I
э
, где V
бэ2
- напряжение база-эмиттер при ра-
зомкнутом ключе, V
бэ1
– при замкнутом ключе.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 8
- 9
- 10
- 11
- 12
- …
- следующая ›
- последняя »
