ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
,
U2)-FRк(U12
U2
кС
π
=
где F – частота источника синусоидального напряжения.
Для повышения точности определения емкости Ск сопротивление Rк
подбирается таким, чтобы
1U5,02U
≈
. Измерения производятся при раз-
личных значениях постоянного напряжения коллектор-база путем измене-
ния напряжения питания от 1 до 10 В. Строится зависимость Ск=f(Uкб).
Аналогично может быть измерена емкость обратно-смещенного эмиттерно-
базового перехода.
1.1.5. Измерение времени рассасывания
Экспериментально время рассасывания накопленного в транзисторе
заряда определяется по схеме рис. 9.
3 В
_
Uб
Rб
Rк
Uк
10 кОм
+10 В
0,1 мкс
Uпит
VT1
100 кОм
Рис. 9
Токи коллектора и базы в режиме насыщения рассчитываются по
формулам:
;
Rк
Uпит
Iк
нас
≈
.
Rб
В7,0Uпит
Iб
нас
−
≈
Отношение токов Iк
нас
/Iб
нас
выбрано равным 10.
В исходном состоянии транзистор VT1 находится в режиме насыще-
ния. Затем на вход схемы через реле времени подается запирающее напря-
жение –3 В. При этом ток базы скачкообразно изменяется от Iб
1
до –Iб
2
.
Далее выполняется команда Analysis/Transient, в диалоговом окне устанав-
ливается конечное время моделирования (0,2 мкс), номера узлов Uб и Uк и
нажимается кнопка Simulate. (Для определения номеров узлов необходимо
сделать их видимыми по команде Circuit/Schematic Options/Show и проста-
новкой галочки в строке Show nodes). В окне Analysis Graphs с помощью
двух курсоров измеряется время рассасывания t
рас
(рис. 10).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
