ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
3
1. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Биполярные транзисторы представляют собой два
встречновключенных взаимодействующих p-n-перехода. Взаимодействие
переходов происходит через тонкую область базы, ширина которой в
современных транзисторах составляет менее 1 мкм. На рис. 1 приведены
условные графические обозначения биполярных транзисторов n-p-n-типа
проводимости (рис. 1,а) и p-n-p-типа проводимости (рис. 1,б).
Э
Б
К
KT3102
Э
К
Б
KT3107
аб
Рис. 1
Для расчета схем на биполярных транзисторах используются
различные эквивалентные схемы транзисторов. Приближенные расчеты
производятся с помощью Т-образной эквивалентной схемы.
Малосигнальная эквивалентная схема транзистора при включении с общей
базой (ОБ) приведена на рис. 2.
Э
К
Б
r
э
r
б
r
к
Ск
Iк=
α
Iэ
Рис. 2
На рис. 2 обозначено: r
э
– дифференциальное сопротивление прямос-
мещенного эмиттерно-базового перехода; α - коэффициент усиления по то-
ку в схеме с ОБ; r
к
– выходное дифференциальное сопротивление транзи-
стора в схеме с ОБ; Ск – емкость обратно-смещенного коллекторно-
базового перехода; r
б
– объемное сопротивление области базы.
В программах схемотехнического моделирования используются более
сложные эквивалентные схемы, обеспечивающие высокую точность расче-
тов. К таким схемам относятся модель Гуммеля-Пуна (интегральная заря-
довая модель) и более простая модель Эберса-Молла [1].
