ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
Ток коллектора в режиме насыщения равен:
Uпит/Rк,Rк/)UкэUпит(Iк
наснас
≈−=
где Uкэ
нас
– напряжение насыщения транзистора VT1.
Генератор тока I1 задает ток в базу транзистора VT1. Величина тока
базы выбирается равной 0,1Iк
нас
. Вольтметры PV1 и PV2 измеряют напря-
жение эмиттер-база и коллектор-база транзистора VT1 в режиме насыще-
ния. Ток коллектора измеряется амперметром PA1. Изменяя сопротивление
резистора Rк от 1кОм до 40кОм и задавая ток базы 0,1Iк
нас
, снимаем зави-
симости Uбэ
нас
и Uкэ
нас
как функцию от тока коллектора Iк при постоянном
отношении Iк/Iб=10. Результаты измерений заносятся в табл. 1.
Таблица 1
Iк, мА Iб, мкА Uбэ нас, В Uкэ нас, В
1.1.2. Измерение выходного сопротивления транзистора
Измерение выходного сопротивления Rвых в схеме с общим эмитте-
ром (ОЭ) производится в статическом режиме с использованием выходной
вольтамперной характеристики транзистора (рис. 4).
VT1
I
+Uпит
PA1
Рис. 4
Ток базы транзистора VT1 задается постоянной величины. Выбира-
ются такие значения тока базы, чтобы ток коллектора лежал в пределах от
0,1 до 10 мА. Выходная характеристика транзистора приведена на рис. 5.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- …
- следующая ›
- последняя »
