Составители:
памяти. В частности, можно прибегнуть к чередованию, или расслоению,
(interleave) адресов, обсуждавшемуся в п. 1.2. Кроме того, оказывается
возможным в ряде случаев так спланировать порядок обработки обращений к
памяти, чтобы уменьшить времена их обработки. Однако это не совсем
простая задача, так как необходимо учитывать временные ограничения на
различные сочетания следующих друг за
другом операций, длину пакетных
циклов, особенности выполнения подзаряда. Поэтому чипсеты различных
производителей обеспечивают разную пропускную способность памяти.
Лучше всего решение этой задачи для ПЭВМ удается фирме Intel.
Действительно, в общем случае процедура записи или чтения в
SDRAM памяти выполняется в три этапа:
а) Сначала при подаче сигнала RAS# происходит выбор нужной
строки, или в терминах, принятых для этой памяти, выполняется команда
активации банка.
б) Затем выполняются требуемые операции записи или чтения и
передачи данных.
в) После записи или чтения строку, к которой выполнялось обращение,
надо закрыть (выполнить подзаряд банка), иначе нельзя будет обратиться к
новой строке этого же банка (вновь его активировать
).
Именно за счет первого и последнего этапов и можно добиться
ускорения работы памяти. Если очередное обращение к данному банку будет
адресоваться к той же строке, то ее можно не закрывать, что позволит не
выполнять заново команду активации банка.
В таблице перечислены сигналы микросхемы SDRAM, а ниже –
выполняемые ею команды (функции).
Сигнал Тип Полярность Функция
CLK Вход
Положит.
Фронт
Вход синхронизации системы. Все входы SDRAM
срабатывают по положительному фронту CLK
CKE Вход
Активный
уровень –
высокий
Активирует сигнал CLK высоким уровнем и отключает
– низким. Отключение CLK низким уровнем CKE
инициирует режимы энергосбережения и саморегенерации
CS# Вход
Активный –
низкий
Низкий уровень включает дешифратор команд,
высокий – выключает. Когда дешифратор команд
выключен, новые команды игнорируются и продолжается
предыдущая операция
RAS#,
CAS#,
WE#
Вход
Активный –
низкий
Состояние RAS, CAS и WE на положительном фронте
CLK определяет операцию, которую будет выполнять
SDRAM
BS0,
Вход
Выбирает банк, который должен быть активным
49
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 47
- 48
- 49
- 50
- 51
- …
- следующая ›
- последняя »
