Организация ЭВМ и систем. (Память ЭВМ). Копейкин М.В - 48 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СЗТУ | Санкт-Петербург

Составители: 

Рубрика: 

t
DAL
– время задержки активации/регенерации (Data in to
Activate/Refresh Latency): минимальный временной интервал (в тактах
синхроимпульсов) от подачи последней порции данных пакета записи до
команды активации/регенерации того же банка;
t
DS
– время установки входных данных (Data in Set-up): минимальный
временной интервал (измеряется в наносекундах) от подачи записываемых
данных на шину DQ до подачи команды записи (по переднему фронту
синхроимпульса);
t
DH
– время удержания входных данных (Data in Hold): минимальный
временной интервал (измеряется в наносекундах) от подачи команды записи
до снятия записываемых данных с шины DQ.
Важно также учитывать, что различные микросхемы памяти могут
иметь разные значения перечисленных параметров. Важными параметрами,
влияющими на производительность памяти, являются параметры t
CK
, t
RCD
и
t
RP
. Значения этих времен для обычной памяти SDRAM составляют 2 или 3
такта синхроимпульсов и непосредственно определяют длительность
основных операций памяти. Очевидно, что память, у которой все эти три
параметра имеют значение 2, при пакетных циклах по 4 передачи потребует
10 тактов на полный пакет (t
RCD
+ t
CK
+ 4 такта передачи + t
RP
), а в случае
равенства этих параметров 3 потребуется 13 тактов. Время t
RP
нужно
учитывать с определенными оговорками, например, при обращении к разным
строкам одного банка.
Приведенные на рис. 18 и 19 диаграммы внешне аналогичны
диаграммам асинхронной памяти в режиме BEDO. Действительно, в обоих
случаях имеет место пакетный режим. Выигрыш в производительности
SDRAM достигается за счет более гибкого управления процессами чтения и
записи, возможности задания параметров
и лучших алгоритмов работы
контроллера памяти.
Во-первых, в SDRAM памяти процессы синхронны, что позволяет
более жестко упорядочить их во времени.
Во-вторых, микросхемы SDRAM имеют внутреннюю мультибанковую
организацию (на рис.10 приведена структура именно такой микросхемы). Это
позволяет применять приемы, повышающие пропускную способность
48

Страницы