Организация ЭВМ и систем. (Память ЭВМ). Копейкин М.В - 54 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

называется CBR (CAS Before RAS), хотя в синхронной памяти он также

называется командой автоматической регенерации (Auto Refresh Command).

Другим вариантом запуска регенерации является подача только одного

сигнала RAS# без последующего CAS#. Такой вариант называется ROR (RAS

Only Refresh), а адреса регенерируемых строк формируются контроллером

памяти и подаются на адресные входы микросхемы.

2.3.5. Динамическая память RDRAM

Память RDRAM (Rambus DRAM) построена на

таких же элементах

памяти, как и рассмотренные выше виды динамической памяти. Она

относится к тому направлению разработок, в котором производительность

памяти (ее пропускная способность, вычисляемая как произведение

разрядности шины данных и частоты передачи по ней) достигается за счет

увеличения частоты, при уменьшении разрядности шины данных. Последнее

обстоятельство способствует снижению взаимных

помех от проводников

шины, особенно сказывающихся на высоких частотах.

Таким образом, для этого типа памяти характерен свой интерфейс,

существенно отличный как логически, так и электрически от интерфейса

асинхронных и синхронных DRAM. Шина данных RDRAM имеет 16

разрядов и работает на частоте 400 Мгц и выше, используя сдвоенные

передачи данных по обоим фронтам синхроимпульсов (как и

DDR память). С

учетом этого RDRAM обеспечивает пропускную способность 1600 Мбайт/с.,

что, по сравнению с DDR SDRAM, не так уж и много.