Составители:
быть записаны данные (обычно “0”, так как в исходном состоянии в таких
микросхемах записаны все “1”).
Перед повторной записью требуется произвести стирание ранее
записанной информации. Оно производится либо электрически, подачей
напряжения обратной полярности, либо с помощью ультрафиолетового
света. У микросхем последнего типа имелось круглое окошечко из
кварцевого стекла, через которое и освещался кристалл
при стирании.
Параметры постоянных ЗУ соответствуют технологическим нормам
своего времени. В начале 2000-х годов типовые емкости микросхем
постоянной памяти с масочным программированием составляли порядка 32-
128 Мбит, а времена обращения превышали аналогичные показатели
оперативной памяти и для различных модификаций достигали до 100 нс.
2.4.2. Флэш-память
Флэш-память, появившаяся в конце 1980-х
годов (Intel), является
представителем класса перепрограммируемых постоянных ЗУ с
электрическим стиранием. Однако стирание в ней осуществляется сразу
целой области ячеек: блока или всей микросхемы. Это обеспечивает более
быструю запись информации или, как иначе называют данную процедуру,
программирование ЗУ. Для упрощения этой процедуры в микросхему
включаются специальные блоки, делающие запись “прозрачной” (подобной
записи в обычное ЗУ) для аппаратного и программного окружения.
Флэш-память строится на однотранзисторных элементах памяти (с
“плавающим” затвором), что обеспечивает плотность хранения информации
даже несколько выше, чем в динамической оперативной памяти. Существуют
различные технологии построения базовых элементов флэш-памяти,
разработанные ее основными производителями. Эти технологии отличаются
количеством слоев, методами
стирания и записи данных, а также
структурной организацией, что отражается в их названии. Наиболее широко
известны NOR и NAND типы флэш-памяти, запоминающие транзисторы в
которых подключены к разрядным шинам соответственно параллельно и
последовательно.
66
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 64
- 65
- 66
- 67
- 68
- …
- следующая ›
- последняя »
