Составители:
Первый тип имеет относительно большие размеры ячеек и быстрый
произвольный доступ (порядка 70 нс), что позволяет выполнять программы
непосредственно из этой памяти. Второй тип имеет меньшие размеры ячеек и
быстрый последовательный доступ (обеспечивая скорость передачи до 16
Мбайт/с), что более пригодно для построения устройств блочного типа,
например “твердотельных дисков”.
Способность сохранять информацию
при выключенном питании,
малые размеры, высокая надежность и приемлемая цена привели к широкому
ее распространению. Этот вид памяти применяется для хранения BIOS,
построения так называемых “твердотельных” дисков (memory stick, memory
drive и др.), карт памяти различного назначения и т.п. Причем устройства на
основе флэш-памяти используются не только в ЭВМ, но и
во многих других
применениях.
К минусам данного вида памяти можно отнести относительно
невысокую скорость передачи данных, средний объем и дороговизну
устройств с большой емкостью (свыше 512 Мбайт и более).
Элементы памяти флэш-ЗУ организованы в матрицы, как и в других
видах полупроводниковой памяти. Разрядность данных для микросхем
составляет 1-2 байта.
Операция чтения
из флэш-памяти выполняется как в обычных ЗУ с
произвольным доступом (оперативных ЗУ или кэш). Однако запись
сохраняет в себе некоторые особенности, аналогичные свойствам
постоянных ЗУ.
Перед записью данных в ЗУ ячейки, в которые будет производиться
запись, должны быть очищены (стерты). Стирание заключается в переводе
элементов памяти в состояние единицы и
возможно только сразу для целого
блока ячеек (в первых микросхемах предусматривалось стирание только для
всей матрицы сразу). Выборочное стирание невозможно.
В процессе записи информации соответствующие элементы памяти
переключаются в нулевое состояние. Также, как и в ПЗУ, без стирания
можно дозаписать нули в уже запрограммированные ячейки, однако
необходимость в такой операции
относительно редка.
67
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 65
- 66
- 67
- 68
- 69
- …
- следующая ›
- последняя »
