Составители:
Рубрика:
21
называется эффективным магнитным полем. Входящие в неё знаки имеют
следующий смысл: Н - напряженность постоянного магнитного поля, в котором
находится образец; М - намагниченность насыщения;
θ
- угол между направ-
лением внешнего магнитного поля
Н и кристаллографической осью (001); Н
а
-
поле магнитной анизотропии.
Сравнение формулы (5) с (7), (8) позволяет сделать вывод, что действующее
на атом внутри вещества эффективное магнитное поле может существенно от-
личаться от внешнего поля Н. Это обусловлено тем, что магнитные моменты
атомов взаимодействуют не только с окружающим образец магнитным полем
(1-ое слагаемое в (8)), но и друг с другом,
создавая свои внутренние поля.
Энергия взаимодействия между магнитными моментами зависит от формы об-
разца, и симметрии кристаллической решетки.
2-ое слагаемое в формуле (8) описывает влияние на частоту резонанса раз-
магничивающего поля тонкой пластинки.
3-е слагаемое в (8) является проявлением эффекта магнитной анизотропии.
Величина соответствующего внутреннего магнитного поля зависит от ориента-
ции магнитного
момента относительно кристаллографических осей. Угловая
зависимость частоты резонанса отражает симметрию расположения атомов в
исследуемой плоскости.
Из-за большой величины намагниченности М ферромагнетиков, внутренние
магнитные поля могут конкурировать по величине с внешним магнитным по-
лем Н.
Величина плотности магнитного момента исследуемого образца равна:
5)Гс(215M
±
=
. (9)
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Описание измерительной установки
В работе используется метод наблюдения магнитного резонанса, при котором
частота электромагнитного поля поддерживается постоянной. Блок-схема из-
мерительной установки представлена на рис.3.
называется эффективным магнитным полем. Входящие в неё знаки имеют следующий смысл: Н - напряженность постоянного магнитного поля, в котором находится образец; М - намагниченность насыщения; θ - угол между направ- лением внешнего магнитного поля Н и кристаллографической осью (001); На - поле магнитной анизотропии. Сравнение формулы (5) с (7), (8) позволяет сделать вывод, что действующее на атом внутри вещества эффективное магнитное поле может существенно от- личаться от внешнего поля Н. Это обусловлено тем, что магнитные моменты атомов взаимодействуют не только с окружающим образец магнитным полем (1-ое слагаемое в (8)), но и друг с другом, создавая свои внутренние поля. Энергия взаимодействия между магнитными моментами зависит от формы об- разца, и симметрии кристаллической решетки. 2-ое слагаемое в формуле (8) описывает влияние на частоту резонанса раз- магничивающего поля тонкой пластинки. 3-е слагаемое в (8) является проявлением эффекта магнитной анизотропии. Величина соответствующего внутреннего магнитного поля зависит от ориента- ции магнитного момента относительно кристаллографических осей. Угловая зависимость частоты резонанса отражает симметрию расположения атомов в исследуемой плоскости. Из-за большой величины намагниченности М ферромагнетиков, внутренние магнитные поля могут конкурировать по величине с внешним магнитным по- лем Н. Величина плотности магнитного момента исследуемого образца равна: M = (215 ± 5)Гс . (9) ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Описание измерительной установки В работе используется метод наблюдения магнитного резонанса, при котором частота электромагнитного поля поддерживается постоянной. Блок-схема из- мерительной установки представлена на рис.3. 21
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »