Составители:
Рубрика:
25
Задание 3. Определить кристаллографическую ориентацию образца в держа-
теле.
Выполнив задание 2, Вы обнаружите, что угловая зависимость поля магнит-
ного резонанса имеет периодический характер. Максимумы и минимумы Н по-
вторяются через каждые 90 градусов. Такое поведение Н характерно для кри-
сталлов кубической симметрии, когда постоянное магнитное поле параллельно
плоскости (001).
При ориентации магнитного поля
в других плоскостях, вид угловой зависи-
мости Н будет иной. Причем симметрия этой зависимости характеризует рас-
положение атомов в исследуемой кристаллографической плоскости. Указанный
факт используют на практике для определения кристаллографической структу-
ры вещества.
Известно, что для применяемых в работе монокристаллов Mg-Mn феррита
(точная химическая формула
420,40,6
OFeMnMg ) ось легкого намагничивания сов-
падает с кристаллографическим направлением [100]. Это означает, что мини-
мум резонансного поля наблюдается тогда, когда магнитное поле электромаг-
нита параллельно кристаллографическим осям типа [100], а максимумы – когда
поле параллельно [110]. Используя эту информацию определите ориентации
осей [100] и [110] исследуемого кристалла относительно держателя образца. Ре-
зультаты представьте в виде таблиц 2 и 3.
Таблица 2. Результаты измерений ориентации оси [100].
Номер минимума
резонансного поля
Н
min
,
Эрстед
град,
n
ϕ
1
…
4
minсрminmin
ΔH)(HH
±
=
, Эрстед
Таблица 3. Результаты измерения ориентации оси [110].
Номер максимума
резонансного поля
Н
max
,
Эрстед
град,
n
ϕ
1
…
4
maxсрmaxmax
ΔH)(HH
±
=
, Эрстед
Задание 4. Рассчитать g-фактор и поле H
a
магнитной анизотропии.
Величины g и Н
а
найти путем решения системы уравнений:
Задание 3. Определить кристаллографическую ориентацию образца в держа- теле. Выполнив задание 2, Вы обнаружите, что угловая зависимость поля магнит- ного резонанса имеет периодический характер. Максимумы и минимумы Н по- вторяются через каждые 90 градусов. Такое поведение Н характерно для кри- сталлов кубической симметрии, когда постоянное магнитное поле параллельно плоскости (001). При ориентации магнитного поля в других плоскостях, вид угловой зависи- мости Н будет иной. Причем симметрия этой зависимости характеризует рас- положение атомов в исследуемой кристаллографической плоскости. Указанный факт используют на практике для определения кристаллографической структу- ры вещества. Известно, что для применяемых в работе монокристаллов Mg-Mn феррита (точная химическая формула Mg 0,6 Mn 0,4 Fe 2 O 4 ) ось легкого намагничивания сов- падает с кристаллографическим направлением [100]. Это означает, что мини- мум резонансного поля наблюдается тогда, когда магнитное поле электромаг- нита параллельно кристаллографическим осям типа [100], а максимумы когда поле параллельно [110]. Используя эту информацию определите ориентации осей [100] и [110] исследуемого кристалла относительно держателя образца. Ре- зультаты представьте в виде таблиц 2 и 3. Таблица 2. Результаты измерений ориентации оси [100]. Номер минимума Нmin, ϕ n , град резонансного поля Эрстед 1 4 H min = (H min )ср ± ΔH min , Эрстед Таблица 3. Результаты измерения ориентации оси [110]. Номер максимума Нmax, ϕ n , град резонансного поля Эрстед 1 4 H max = (H max )ср ± ΔH max , Эрстед Задание 4. Рассчитать g-фактор и поле Ha магнитной анизотропии. Величины g и На найти путем решения системы уравнений: 25
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »