Составители:
Рубрика:
27
Лабораторная работа № 6
ИЗМЕРЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ
ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
Цели: 1. Получить вольтамперные характеристики р-n перехода для различ-
ных температур.
2. Определить зависимость дифференциального сопротивления пере-
хода от температуры.
3. Оценить контактную разность потенциала в германиевом диоде.
ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ
В металлах и полупроводниках электроны внешних оболочек атомов отрыва-
ются от ядер и приобретают способность перемещаться внутри объема образца.
Такие электроны называют электронами проводимости. Электроны проводимо-
сти обладают рядом свойств, отличающих их от электронов, движущихся в
свободном пространстве. Например, у них иная масса. Возникновение новых
свойств обусловлено двумя обстоятельствами. Во-
первых, твердое тело для
электронов проводимости является "потенциальным ящиком". Следствием это-
го факта является квантования импульса и энергии электрона проводимости в
твердом теле [1,2]. Во-вторых, потенциальный рельеф электрического поля ио-
нов, в котором движутся электроны проводимости, не является гладким и пред-
ставляет собой сложное пространственное расположение лагун и впадин (см.
рис
.1).
Рис.1. Периодический потенциал электрического поля, в котором движется
электрон проводимости в кристалле. Для наглядности изображена модель
одномерного кристалла, состоящего из цепочки одинаковых атомов.
Взаимодействие электрона проводимости с кристаллическим потенциалом
приводит к изменению массы электрона и образованию энергетических зон
[1,2]. Расстояние между соседними подуровнями внутри энергетической зоны
очень мало и составляет
около 10
-12
эВ.
В металлах валентная зона заполнена не полностью и остается много близко
расположенных свободных уровней. Электроны проводимости легко переме-
щаются, изменяя свой суммарный импульс. Поэтому металлы характеризуются
малыми значениями электрического сопротивления. Валентную зону в метал-
лах называют зоной проводимости
Лабораторная работа № 6 ИЗМЕРЕНИЕ КОНТАКТНОЙ РАЗНОСТИ ПОТЕНЦИАЛОВ МЕЖДУ ПОЛУПРОВОДНИКАМИ Цели: 1. Получить вольтамперные характеристики р-n перехода для различ- ных температур. 2. Определить зависимость дифференциального сопротивления пере- хода от температуры. 3. Оценить контактную разность потенциала в германиевом диоде. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ СВЕДЕНИЯ В металлах и полупроводниках электроны внешних оболочек атомов отрыва- ются от ядер и приобретают способность перемещаться внутри объема образца. Такие электроны называют электронами проводимости. Электроны проводимо- сти обладают рядом свойств, отличающих их от электронов, движущихся в свободном пространстве. Например, у них иная масса. Возникновение новых свойств обусловлено двумя обстоятельствами. Во-первых, твердое тело для электронов проводимости является "потенциальным ящиком". Следствием это- го факта является квантования импульса и энергии электрона проводимости в твердом теле [1,2]. Во-вторых, потенциальный рельеф электрического поля ио- нов, в котором движутся электроны проводимости, не является гладким и пред- ставляет собой сложное пространственное расположение лагун и впадин (см. рис.1). Рис.1. Периодический потенциал электрического поля, в котором движется электрон проводимости в кристалле. Для наглядности изображена модель одномерного кристалла, состоящего из цепочки одинаковых атомов. Взаимодействие электрона проводимости с кристаллическим потенциалом приводит к изменению массы электрона и образованию энергетических зон [1,2]. Расстояние между соседними подуровнями внутри энергетической зоны очень мало и составляет около 10-12 эВ. В металлах валентная зона заполнена не полностью и остается много близко расположенных свободных уровней. Электроны проводимости легко переме- щаются, изменяя свой суммарный импульс. Поэтому металлы характеризуются малыми значениями электрического сопротивления. Валентную зону в метал- лах называют зоной проводимости 27
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »