ВУЗ:
Составители:
47
столбцов DCy матрицы соответственно. Микросхема может работать в трех
режимах: режим считывания, режим записи и режим хранения.
Режим работы определяется сигналами, подаваемыми на входы схемы
управления согласно временной диаграмме, показанной на рисунке 4.4.
В режиме хранения микросхема КР537РУ10 (2816) характеризуется весь-
ма низким энергопотреблением (не более 20 мкА).
А - сигналы адресной шины;
D - сигналы шины данных;
СЕ, СО – строб-сигналы записи – считывания;
W – сигнал разрешения записи – считывания.
Рисунок 4.4 – Временные диаграммы записи и считывания данных мик-
росхемы КР537РУ10
4.2 Оперативные запоминающие устройства динамического типа
Динамические ОЗУ строятся по n-МОП технологии и характеризуются
отсутствием транзисторов, работающих в качестве нагрузочных резисторов.
Простейшая динамическая ячейка показана на рисунке 4.5 а). Во время
записи управляющий импульс шины адреса открывает транзисторы Т1 и Т2.
При этом емкости затворов С1 и С2 заряжаются током разрядных шин.
Для регенерации содержимого ячейки необходимо повторять запись или счи-
тывание через определенные интервалы времени. Регенерация может произво-
диться также с помощью общего тактирующего устройства через каждые 1..20
мс (в зависимости от уровня интеграции компонент накопителя) одновременно
во всех элементах одной из строк матрицы. Для этого необходимо, чтобы вы-
полнялись два условия:
- схемы дешифрации адреса и выбора ячеек должны позволять одновре-
менную выборку всех элементов одной из строк матрицы накопителя;
- схемы, связанные с разрядными шинами, должны рассчитываться на
достаточно большие токи, чтобы обеспечить потенциал на этих шинах близкий
к нулевому.
В динамической ячейке ЗУ, схема которой приведена на рисунке 4.5б),
информация хранится на конденсаторе С. Схема, показанная на рисунке 4.5в),
столбцов DCy матрицы соответственно. Микросхема может работать в трех режимах: режим считывания, режим записи и режим хранения. Режим работы определяется сигналами, подаваемыми на входы схемы управления согласно временной диаграмме, показанной на рисунке 4.4. В режиме хранения микросхема КР537РУ10 (2816) характеризуется весь- ма низким энергопотреблением (не более 20 мкА). А - сигналы адресной шины; D - сигналы шины данных; СЕ, СО – строб-сигналы записи – считывания; W – сигнал разрешения записи – считывания. Рисунок 4.4 – Временные диаграммы записи и считывания данных мик- росхемы КР537РУ10 4.2 Оперативные запоминающие устройства динамического типа Динамические ОЗУ строятся по n-МОП технологии и характеризуются отсутствием транзисторов, работающих в качестве нагрузочных резисторов. Простейшая динамическая ячейка показана на рисунке 4.5 а). Во время записи управляющий импульс шины адреса открывает транзисторы Т1 и Т2. При этом емкости затворов С1 и С2 заряжаются током разрядных шин. Для регенерации содержимого ячейки необходимо повторять запись или счи- тывание через определенные интервалы времени. Регенерация может произво- диться также с помощью общего тактирующего устройства через каждые 1..20 мс (в зависимости от уровня интеграции компонент накопителя) одновременно во всех элементах одной из строк матрицы. Для этого необходимо, чтобы вы- полнялись два условия: - схемы дешифрации адреса и выбора ячеек должны позволять одновре- менную выборку всех элементов одной из строк матрицы накопителя; - схемы, связанные с разрядными шинами, должны рассчитываться на достаточно большие токи, чтобы обеспечить потенциал на этих шинах близкий к нулевому. В динамической ячейке ЗУ, схема которой приведена на рисунке 4.5б), информация хранится на конденсаторе С. Схема, показанная на рисунке 4.5в), 47
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 45
- 46
- 47
- 48
- 49
- …
- следующая ›
- последняя »