Схемотехника цифровых, аналого-цифровых и цифро-аналоговых устройств. Корнев Е.А. - 51 стр.

     Рисунок 4.9 – Временные диаграммы программирования («прожигания»)
данных в ОПЗУ

     4.4 Перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства с
возможностью стирания ультрафиолетовым излучением
       Перепрограммируемые постоянные запоминающие устройства с возмож-
ностью стирания записи ультрафиолетовым излучением или электрическим
способом допускают многократное стирание записываемой информации. Это
достигается благодаря уникальным электрическим свойствам МОП - транзи-
сторов с изолированными (плавающими) затворами. Из-за возможности много-
кратного стирания информации, микросхемы такого вида называют многократ-
но-программируемыми ПЗУ (МПЗУ). МПЗУ строятся на n- или К-МОП струк-
турах, как показано на рисунке 4.10.
       Изолированные затворы полевых транзисторов матрицы на рисунке 4.10
гальванически разъединены от всех цепей схемы и от кремниевой подложки
тонким слоем двуокиси кремния. Изоляционный слой настолько тонок, что ме-
жду плавающим затвором и обычным затвором, т.е. шиной программирования
(Uупр), возникает наведенный заряд на "плавающем" затворе сквозь изолирую-
щий слой окиси кремния при прохождении через шину программирования им-
пульса тока. В результате этого при программировании на изолированных (пла-
вающих) затворах возникает отрицательный заряд, который, благодаря высо-
кому удельному сопротивлению двуокиси кремния, может сохраняться неиз-
меннымв течении многих лет. Эти заряды закрывают или открывают каналы
полевых транзисторов. Например, если плавающий затвор данного транзистора
заряжен отрицательным зарядом, то транзистор с n-каналом закрыт, а если нет,
то открыт.



                                                                         51