Схемотехника цифровых, аналого-цифровых и цифро-аналоговых устройств. Корнев Е.А. - 52 стр.

UptoLike

Составители: 

52
+Енапряжение питания;
А
i
линия адресной шины;
D
i
разрядные линии шины данных.
Рисунок 4.10 – Фрагмент матрицы накопителя МПЗУ с полевыми тран-
зисторами с изолированными затворами
Микросхемы типа КР573 РФ2 являются перепрограммируемыми посто-
янными запоминающими устройствами со стиранием информации ультрафио-
летовым излучением емкостью 2048 байт. Микросхемы большей емкости
КР573РФ4, РФ6, РФ8 по построению подобны микросхеме КР573РФ2. Эти
микросхемы являются аналогами зарубежных микросхем типа 2716, 2732, 2764,
27128, 27256, 27512.
Стирание информации осуществляется путем облучения кристаллов мик-
росхем ультрафиолетовым излучением через специальное окно в корпусе мик-
росхемы. При этом под действием облучения двуокись кремния частично иони-
зируется по всему объему, где проникает излучение и теряет свои изоляцион-
ные свойства. Заряд затвора стекает на подложку и полевые транзисторы снова
закрываются.
4.5 Контрольные вопросы
1 Поясните принцип работы ячейки динамического ОЗУ.
2 Начертите временные диаграммы записи и считывания.
3 Как осуществляется регенерация?
4 Чем определяется период регенерации?
5 Поясните работу ячейки ОЗУ n- и К-МОП.
6 Как производится выборка ячейки ОЗУ?
       +Е – напряжение питания;
       Аi – линия адресной шины;
       Di – разрядные линии шины данных.

       Рисунок 4.10 – Фрагмент матрицы накопителя МПЗУ с полевыми тран-
зисторами с изолированными затворами

     Микросхемы типа КР573 РФ2 являются перепрограммируемыми посто-
янными запоминающими устройствами со стиранием информации ультрафио-
летовым излучением емкостью 2048 байт. Микросхемы большей емкости
КР573РФ4, РФ6, РФ8 по построению подобны микросхеме КР573РФ2. Эти
микросхемы являются аналогами зарубежных микросхем типа 2716, 2732, 2764,
27128, 27256, 27512.
     Стирание информации осуществляется путем облучения кристаллов мик-
росхем ультрафиолетовым излучением через специальное окно в корпусе мик-
росхемы. При этом под действием облучения двуокись кремния частично иони-
зируется по всему объему, где проникает излучение и теряет свои изоляцион-
ные свойства. Заряд затвора стекает на подложку и полевые транзисторы снова
закрываются.

      4.5 Контрольные вопросы

  1   Поясните принцип работы ячейки динамического ОЗУ.
  2   Начертите временные диаграммы записи и считывания.
  3   Как осуществляется регенерация?
  4   Чем определяется период регенерации?
  5   Поясните работу ячейки ОЗУ n- и К-МОП.
  6   Как производится выборка ячейки ОЗУ?

                                                                        52