Вопросы конструирования электронной аппаратуры. Корнилов А.Г. - 32 стр.

                      Приемы снижения эффективности воздействия И.И.
      1) Применять резисторы с номиналом не более 10 кОм.
      2) Высокоомные резисторы защищать заливкой либо опресовкой эпоксидной смо-
         лой. Увеличение толщины защитного слоя в10 раз позволяет снизить нестабиль-
         ность резистора в 6-8 раз.
      3) Применять резисторы как можно меньших размеров.

      Влияние на конденсаторы.
      Влияние на И.И. осуществляется в виде:
      1) Изменение параметров электрической прочности (рабочее напряжение, ТКЕ –
         температурный коэффициент).
      2) Изменение сопротивления изоляции, определяющие ток утечки.
      3) Изменение диэлектрических потерь (дополняющий угол сдвига фаз между векто-
         рами тока и напряжения) он определяет активную мощность выделяемую в кон-
         денсаторе.

       Основные причины изменения параметров конденсатора.
       Изменения в структуре диэлектрика, механическая деформация, ионизация диэлек-
трика и окружающей среды.
       Гамма излучение и рентгеновское излучение вызывает обратимые радиационные де-
фекты.
       Нейтронное излучение вызывает как обратимые так и необратимые радиационные
дефекты.
       Наибольшей стойкостью к И.И. обладают конденсаторы с неорганическим диэлектри-
ком: керамикой, стекло эмалью, слюдой. Изменение параметров при облучении нейтронами
не превышает долей или единиц процентов. Мене чем через два часа после окончания облу-
чения параметры восстанавливаются для исходного значения. Плохой устойчивостью к И.И.
обладают конденсаторы с органическим диэлектриком (бумага, полистирол, лавсан, орто-
пласт). При облучении сопротивление изоляции падает в 10-20 раз, увеличивается tgβ, номи-
нал ёмкости изменяется на единицы и десятки процентов
       Электролитические конденсаторы при облучении претерпевают зачастую разгермети-
зацию из-за разложения электролита.
       Из интегральных тонкоплёночных конденсаторов наиболее устойчивы к И.И. конден-
саторы с диэлектриком на танталовой основе (Al2O3).

       Воздействие И.И. на полупроводниковые приборы.
       Полупроводниковые приборы, особенно низкочастотные транзисторы, являются, как
правило, слабым местом электронной аппаратуры по отношению к И.И. В связи с этим оцен-
ка нижнего уровня радиационной стойкости аппаратуры определяется именно этим слабым
местом. В особо ответственных случаях, когда обеспечение особо высокой стойкости аппа-
ратуры к И.И. следует заменять полупроводниковые приборы элементами, имеющими более
высокую радиационную стойкость, например, магнитные элементы, электронные лампы и
т.п. Конечно, при этом аппаратура, возможно, будет иметь другиеэксплуатационные и тех-
нические характеристики.
       Транзисторы
       Основные явления, наблюдаемые при облучении И.И.
       Деградация коэффициентов передачи по току и как следствие изменение вольтампер-
ных характеристик, обусловленных возникновением деградации в полупроводниковом мате-
риале.
       Биполярные транзисторы.
       1) Обратимое возрастание токов Iко из-за ионизационных эффектов
       2) Возрастание тока базы и снижение коэффициента усиления по току
       Наиболее устойчивыми к И.И. являются:

                                           32