Вопросы конструирования электронной аппаратуры. Корнилов А.Г. - 33 стр.

      Высокочастотные транзисторы.
      -большие трудности возникают с мощными транзисторами имеющими, как правило,
невысокую радиационную стойкость.
      Необходимо уменьшить коэффициент в отдельных каскадах вводя дополнительные
каскады усиления, ввести в усилительные каскады обратную связь, повышая напряжение
смещения с целью уменьшения чувствительности к увеличению токов утечки.
      Униполярные транзисторы.
      Транзисторы данного типа имеют гораздо меньшую радиационную стойкость чем би-
полярные транзисторы. Наиболее чувствительны к И.И.транзисторы с изолированным затво-
ром (МДП-транзисторы).

      Два вида воздействия на полупроводниковые приборы.
      1) Ионизирующее действие – оно приводит к возникновению в объёме полупровод-
          ника избыточных зарядов, которые, двигаясь под действием градиентов концен-
          трации электрических полей, создают фототоки. После окончания облучения фо-
          тотоки пропадают, т.е. наблюдаются обратимые дефекты. Фототок – упорядочен-
          ное движение фотоэлектронов. Фотоэлектроны электроны, вылетающие из веще-
          ства при фотоэффекте.
      2) Структурные нарушения, обусловленные взаимодействием И.И. с кристалличе-
          ской решёткой полупроводника. Даже самые незначительные изменения (нару-
          шения) кристаллической решётки вызывает значительные изменения параметров
          полупроводников, т.е. наблюдаются необратимые радиационные дефекты.
      Полупроводниковые диоды.
      Основные искажения:
      1) Появление фототоков на один-два порядка больше рабочих токов.
      2) Изменение сопротивления диода.
      Германиевые диоды.
      1) Нейтронное излучение вызывает измененные проводимости диодов. При этом в
          прямом направление проводимость уменьшается, в обратном увеличивается
      2) Фотонное излучение вызывает возникновение фототоков, возрастание обратного
          тока, уменьшение ёмкости p-n перехода. Через несколько дней после прекраще-
          ния облучения параметры диодов восстанавливаются.
      Кремниевые диоды.
      Нейтронное излучение.
      а) Точечно-контактные типы диодов - уменьшается проводимость в прямом и обрат-
ном направлении
      б) Плоскостные диоды - проводимость в прямом направлении уменьшается, в обрат-
ном направлении с увеличением И.И. в начале растёт, потом падает.
      Сильное нейтронное излучение приводит к прекращению работы диодов.
      Гамма излучение вызывает обратимые изменения вольтамперных характеристик.
      Туннельные диоды.
      Заметное изменение вольтамперных характеристик наблюдается при очень сильном
нейтронном излучении. Туннельные диоды устойчивы к ионизирующим эффектам.
      Интегральные диоды.
      Более устойчивы к И.И. особенно высокочастотные диоды.
      Интегральные схемы.
      Действие И.И. проявляется в обратимых и необратимых изменениях параметров вхо-
дящих в интегральные микросхемы элементов (резисторов, конденсаторов, транзисторов).
Наиболее устойчивы к воздействию И.И. интегральные схемы на основе керамических эле-
ментов (керамические твёрдые схемы).




                                         33