Вопросы надежности радиоэлектронной аппаратуры. Корнилов А.Г. - 10 стр.

UptoLike

Составители: 

10
П
iдоп
- допустимое (справочное) значение определяющего параметра для i-
го. элемента.
Для обеспечения надежной работы i-го элемента численное значение
K
Нi
не должно превышать (а лучше быть существенно меньше) некоторого
предельного допустимого значения. Ниже приведены численные значения
предельных допустимых значений K
Нi
для некоторых типов элементов.
Таб 1.
ЭЛЕМЕНТ ОПРЕДЕЛЯЮЩИЙ
ПАРАМЕТР
K
НI
РЕЗИСТОРЫ
НЕПРОВОЛОЧНЫЕ.
МОЩНОСТЬ
РАССЕЯНИЯ
0,5
РЕЗИСТОРЫ
ПРОВОЛОЧНЫЕ.
МОЩНОСТЬ
РАССЕЯНИЯ
0,6
КОНДЕНСАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЕ
0,8
ТРАНЗИСТОРЫ МОЩНОСТЬ НА
ПЕРЕХОДЕ.
НАПРЯЖЕНИЕ
НА
ПЕРЕХОДЕ.
ТОК
КОЛЛЕКТОРА.
0,5
0,7
0,9
ПОЛУПРОВОДНИКОВ
ЫЕ
ДИОДЫ
ПРЯМОЙ
ТОК.
ОБРАТНОЕ
НАПРЯЖЕНИЕ
МОЩНОСТЬ
НА
ПЕРЕХОДЕ.
0,9
0,7
0,5
Для микросхем при одновременном учете температуры окружающей
среды и электрической нагрузки вводится понятие коэффициента электрической
нагрузки, численное значение которого определяется по следующей формуле:
для резистивно-транзисторной логики(РТЛ)
К
Н
=1- ( 1/N
P
- 1/N
P max
)
для транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)
К
Н
=(N
P
+ N
P max
)/2 N
P max,
, где
N
P max
-допустимый коэффициент разветвления по выходу.
N
P
коэффициент разветвления по выходу в конкретном случае
применения микросхемы. На этапе эскизного проекта, когда принципиальная
       Пiдоп- допустимое (справочное) значение определяющего параметра для i-
го. элемента.
        Для обеспечения надежной работы i-го элемента численное значение
KНi не должно превышать (а лучше быть существенно меньше) некоторого
предельного допустимого значения. Ниже приведены численные значения
предельных допустимых значений KНi для некоторых типов элементов.
      Таб 1.
        ЭЛЕМЕНТ                 ОПРЕДЕЛЯЮЩИЙ                KНI
                                    ПАРАМЕТР
       РЕЗИСТОРЫ             МОЩНОСТЬ РАССЕЯНИЯ
  НЕПРОВОЛОЧНЫЕ.                                        0,5
       РЕЗИСТОРЫ             МОЩНОСТЬ РАССЕЯНИЯ
     ПРОВОЛОЧНЫЕ.                                       0,6
    КОНДЕНСАТОРЫ                  НАПРЯЖЕНИЕ
                                                        0,8
     ТРАНЗИСТОРЫ                  МОЩНОСТЬ НА
                                   ПЕРЕХОДЕ.            0,5
                                 НАПРЯЖЕНИЕ НА
                                   ПЕРЕХОДЕ.            0,7
                                ТОК КОЛЛЕКТОРА.
                                                        0,9
 ПОЛУПРОВОДНИКОВ                  ПРЯМОЙ ТОК.           0,9
       ЫЕ ДИОДЫ                     ОБРАТНОЕ
                                  НАПРЯЖЕНИЕ            0,7
                                  МОЩНОСТЬ НА
                                   ПЕРЕХОДЕ.            0,5



        Для микросхем при одновременном учете температуры окружающей
среды и электрической нагрузки вводится понятие коэффициента электрической
нагрузки, численное значение которого определяется по следующей формуле:
                     для резистивно-транзисторной логики(РТЛ)

                              КН =1- ( 1/NP - 1/NP max )

                   для транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ)

                          КН =(NP + NP max )/2 NP max,     , где

     NP max-допустимый коэффициент разветвления по выходу.
     NP – коэффициент разветвления по выходу в конкретном случае
применения микросхемы. На этапе эскизного проекта, когда принципиальная


                                                                                10