Основы радиоэлектроники. Решение задач. Коробова А.Д - 26 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

26
Рис . 3.6
3.5. Нормированная сток-затворная характеристика транзистора 3П321А-2
при U
СИ
= 2 В описывается таблицей 3.1. Определите вид зависимости
крутизны данного транзистора и зависимость коэффициента усиления в схеме с
ОИ при R
С
=5 кОм от напряжения затвор-исток. Сравните полученные
зависимости с аналогичными кривыми для МДП-транзисторов на примере
транзистора со встроенным каналом КП201Л и транзистора с индуцированным
каналом КП301Б (U
СИ
= -15 В).
Таблица 3.1
3.6. Определите зависимость внутреннего сопротивления транзистора от
напряжения затвор-исток для МДП-транзисторов КП201Л и КП301Б при
U
СИ
= -15 В и транзистора с управляющим переходом КП103Л .
3.7. Единая аппроксимация ВАХ мощных полевых транзисторов с
затвором Шоттки имеет вид
U
ЗИ
, В
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
I
C
/I
C
(0)
1 0.72 0.5 0.31 0.15 0.07 0
I
c
, мА КП323(А -2,Б -2)
7
U
зи
= 0
6
5
-0.5
4
3 -1.0
2 -1.5
1 -2 B
0 5 10 15 20 U
си
,
В 
                                                26




                              Ic , мА           К П 323(А -2,Б -2)


                               7
                                                              Uзи=0
                               6

                               5
                                                                      -0.5
                               4

                               3                                      -1.0

                               2                                       -1.5

                               1                                       -2 B


                                   0        5    10     15   20       Uси, В


                                                 Рис . 3.6

    3.5. Н ормированная с ток-затворная х аракте рис тика транзис тора 3П321А -2
п ри UС И = 2 В оп ис ы вае тс я таб лице й 3.1. Оп ре де лите вид завис имос ти
крутизны данног о транзис тора и завис имос ть коэффицие нта ус иле ния в с х е ме с
ОИ п ри RС =5 кОм от нап ряже ния затвор-ис ток. С равните п олуч е нны е
завис имос ти с аналогич ны ми кривы ми для М Д П-транзис торов на п риме ре
транзис тора с о вс трое нны м каналом К П201Л и транзис тора с индуцированны м
каналом К П301Б (UС И= -15 В).
                                                                   Таб лица 3.1
 UЗ И, В      0         0.5             1             1.5         2            2.5    3

 IC /IC (0)   1        0.72            0.5           0.31     0.15             0.07   0



    3.6. Оп ре де лите завис имос ть внутре нне го с оп ротивле ния транзис тора от
нап ряже ния затвор-ис ток для М Д П-транзис торов К П201Л и К П301Б п ри
UС И= -15 В и транзис тора с уп равляющ им п е ре х одом К П103Л .
     3.7. Е диная ап п рокс имация ВА Х мощ ны х п оле вы х транзис торов с
затвором Ш оттки име е т вид

Страницы