Основы радиоэлектроники. Решение задач. Коробова А.Д - 27 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

27
.)U(TPU)U,U(F
]},
UU
kU
exp[1{)UU(A)U,U(I
],)U,U(Fexp(B1)[U,U(I)U,U(I
2
БЗ
1
ССЗ
0З
С
N
0ЗСЗ 1 С
СЗСЗ 1 ССЗ C
ΨΨ
ϕ++=
−
−−−=
−+=
Для транзистора АП602 коэффициенты аппроксимации имеют следующие
значения: A = 45,4 10
-3
; N = 1,4; k = 3,2; B = 24,4; P = 9,4; T = 3,1; Ψ 1 =1,5;
Ψ 2 =2; φ
Б
=0,75 В, U
0
= -3,5 В.
Используя графоаналитический метод,
определите положение исходной рабочей точки при E
С
= 4 В, R
С
=20 Ом и
различных значениях напряжения затвор-исток. Проанализируйте движение
рабочей точки при изменении сопротивления нагрузки, объясните вид
характеристик.
3.8. Определите связь элементов простейшей физической эквивалентной
схемы полевого транзистора (рис . 3.7) с его y-параметрами . Поясните
использование полученных соотношений для анализа частотных свойств ПТ.
Ответ: y
11
= jω (C
ЗС
+C
ЗИ
), y
12
= -jω C
ЗС
, y
21
= S - jω C
ЗС
, y
22
= g
22
- jω (C
ЗС
+C
ЗИ
).
Рис . 3.7
3.9. Используя транзистор КП303Г , рассчитать каскад по схеме , показанной
на рис . 3.2. Каскад должен обеспечивать получение максимальной амплитуды
выходного напряжения. Использовать следующие параметры схемы и
транзистора: E
С
= 15 В, S = 2,5 мА /В, U
0
= 2,5 В, I
С НАЧ
= 5 мА ,
R
ВХ
=100 кОм .
Ответ: R
И
= 0,33 кОм , R
С
= 2,2 кОм, R
З
= 100 кОм , U
m ВЫХ
= 4,95 В, K
U
= 3.
3.10. На схему, использующую транзистор с передаточной
характеристикой, изображенной на рис . 3.3б , подается напряжение u
ВХ
=
=U
m
sinω t. Рассчитать форму тока стока при U
m
= 0,5 В; 1 В; 1,5 В.
3.11. Используя транзистор КП303Г , рассчитать параметры каскада по схеме ,
показанной на рис . 3.2 при коэффициенте усиления по напряжению K
U
= 10 на
частотах более 50 Гц и E
С
= 15 В.
Ответ: R
И
= 2 кОм , R
С
= 12 кОм , C
И
= 200 мкФ .
I
mЗ
C
ЗС
I
mС
U
mЗИ
C
ЗИ
SU
mЗИ
g
22
C
СИ
U
mСИ
                                              27

I C (U З , UС) = I С1 ( UЗ , U С)[1 + B exp(− F(UЗ , UС) ],
                                              kUС
I С1 (UЗ , UС) = A(U З − U 0 )N {1 − exp[−           ]},
                                             UЗ − U0
                     Ψ1
F( UЗ , UС) = PUС       + T( UЗ + ϕ Б )Ψ 2 .
Д ля транзис тора А П602 коэффицие нты ап п рокс имации име ют с ле дующ ие
знач е ния: A = 45,4 10-3; N = 1,4; k = 3,2; B = 24,4; P = 9,4; T = 3,1; Ψ 1 =1,5;
 Ψ 2 =2; φ Б =0,75 В, U0 = -3,5 В. Ис п ользуя графоаналитич е с кий ме тод,
оп ре де лите п оложе ние ис х одной раб оч е й точ ки п ри EС = 4 В, RС =20 Ом и
различ ны х знач е ниях нап ряже ния затвор-ис ток. Проанализируйте движе ние
раб оч е й точ ки п ри изме не нии с оп ротивле ния нагрузки, об ъяс ните вид
х аракте рис тик.
       3.8. Оп ре де лите с вязь эле ме нтов п рос те йш е й физич е с кой эквивале нтной
с х е мы п оле вого транзис тора (рис . 3.7) с е го y-п араме трами. Пояс ните
ис п ользование п олуч е нны х с оотнош е ний для анализа ч ас тотны х с войс тв ПТ.
Отве т: y11 = jω (CЗ С +CЗ И), y12= -jω CЗ С , y21= S - jω CЗ С , y22= g22- jω (CЗ С +CЗ И).

                 ImЗ     CЗС                                  ImС


         UmЗИ          CЗИ             SUmЗИ       g22        CСИ UmСИ




                               Р ис . 3.7

      3.9. Ис п ользуя транзис тор К П303Г , рас с ч итать кас кад п о с х е ме , п оказанной
на рис . 3.2. К ас кад долже н об е с п е ч ивать п олуч е ние макс имальной амп литуды
вы х одного нап ряже ния. Ис п ользовать с ле дующ ие п араме тры с х е мы и
транзис тора: EС = 15 В, S = 2,5 мА /В, U0= 2,5 В, IС Н А Ч = 5 мА ,
RВХ=100 кОм.
Отве т: RИ = 0,33 кОм, RС = 2,2 кОм, RЗ = 100 кОм, Um ВЫ Х= 4,95 В, KU= 3.
      3.10.     Н а с х е му,    ис п ользующ ую транзис тор           с      п е ре даточ ной
х аракте рис тикой, изоб раже нной на рис . 3.3б , п одае тс я нап ряже ние u ВХ=
=Umsinω t. Рас с ч итать формутока с тока п ри Um = 0,5 В; 1 В; 1,5 В.
3.11. Ис п ользуя транзис тор К П303Г , рас с ч итать п араме тры кас када п о с х е ме ,
п оказанной на рис . 3.2 п ри коэффицие нте ус иле ния п о нап ряже нию KU = 10 на
ч ас тотах б оле е 50 Г ц и EС = 15 В.
Отве т: RИ = 2 кОм, RС = 12 кОм, CИ= 200 мкФ .

Страницы