Составители:
Рубрика:
51
пропускание
снова
уменьшается
.
Четвёртый
слой
–
полуволновой
слой
с
низким
показателем
преломления
.
При
его
осаждении
пропускание
вначале
возрастает
до
максимального
значения
,
соответствующего
пропусканию
четвертьволнового
слоя
,
потом
уменьшается
,
достигает
прежнего
значения
.
Дальше
начинаем
осаждать
слой
с
большим
показателем
преломления
.
Как
будет
меняться
пропускание
при
осаждении
слоя
с
высоким
показателем
преломления
?
Начальное
значение
коэффициента
пропускания
известно
.
Для
определения
коэффициента
пропускания
,
так
же
как
и
раньше
воспользуемся
правилом
скобок
при
определении
матричного
произведения
.
После
осаждения
пятого
слоя
матрица
интерференции
имеет
вид
(
В
2
НВ
)
НВ
.
Коэффициент
пропускания
после
осаждения
пятого
слоя
будет
равен
коэффициенту
пропускания
системы
ВНВ
.
Следовательно
,
по
мере
осаждения
пятого
слоя
(
с
большим
показателем
преломления
)
коэффициент
пропускания
будет
увеличиваться
.
Следующий
,
шестой
слой
-
с
низким
показателем
преломления
.
Ему
соответствует
матрица
интерференции
В
(
Н
(
В
2
НВ
)
Н
).
В
скобках
расположены
единичные
матрицы
.
Начальный
коэффициент
пропускания
известен
,
коэффициент
пропускания
в
момент
окончания
осаждения
слоя
-
коэффициент
пропускания
одного
слоя
на
подложке
.
И
,
наконец
,
последний
слой
.
Начальное
пропускание
-
это
пропускание
одного
слоя
,
конечное
-
пропускание
чистой
подложки
.
Зависимость
коэффициента
пропускания
,
как
функция
толщины
слоёв
растущей
системы
изображена
на
рис
.1.23.
Далее
рассмотрим
ситуацию
с
интерференционным
фильтром
,
образованным
металлическими
зеркалами
.
При
осаждении
первого
слоя
мы
ограничиваемся
энергетическим
коэффициентом
отражения
R
этого
зеркала
.
Слой
металлический
,
он
будет
обладать
поглощением
.
Пропускание
такого
слоя
T
=
I
-
R
-
A
,
где
А
–
это
коэффициент
поглощения
.
Если
мы
выберем
величину
R
,
т
.
е
.
если
хотим
получить
светофильтр
с
заданной
контрастностью
и
заданной
полушириной
,
то
мы
должны
определить
поглощение
,
как
функцию
толщины
слоя
.
После
этого
необходимо
определить
пропускание
системы
слой
-
подложка
.
В
момент
достижения
вычисленного
значения
пропускания
осаждение
прекращается
.
Дальше
осаждается
разделительный
слой
.
Толщина
разделительного
слоя
не
кратна
λ
0
/2,
поскольку
на
границе
раздела
зеркало
-
растущий
слой
диэлектрика
присутствуют
скачки
фазы
коэффициента
отражения
,
отличные
от
π
.
Пропускание
диэлектрического
слоя
от
его
толщины
может
быть
описано
выражением
1 1
1 2
A
T
4 n d
1 Bcos
=
π
− + ρ + ρ
λ
, (1.54)
где А и В - константы, определяемые оптическими постоянными слоя металла и
растущего слоя диэлектрика, ρ
2
– разность фаз между волной, падающей со
стороны растущего слоя диэлектрика, и волной, отраженной от границы
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 49
- 50
- 51
- 52
- 53
- …
- следующая ›
- последняя »
