ВУЗ:
Составители:
ренной структуры, характера расположения дефектов кристаллического
строения, оценки внутренних напряжений.
В растровом элек-
тронном микроскопе изо-
бражение создается за счет
вторичной эмиссии элек-
тронов, излучаемых по-
верхностью, на которую
падает непрерывно пере-
мещающийся по этой по-
верхности поток первичных
электронов. Изучается непо-
средственно поверхность
металла, чаще всего изломы
(рис. 1.5). Разрешающая спо-
собность растровых элек-
тронных микроскопов не-
сколько ниже, чем у просве-
чивающих микроскопов.
Атомно-силовой микроскоп основан на принципе взаимодейст-
вия между поверхностью исследуемого образца и острой вольфрамо-
вой иглой длиной в несколько микрометров, закрепленной на свобод-
ном конце кантилевера (кронштейна). Межатомные силы между иглой
и атомами поверхности образца заставляют кантилевер изгибаться.
Измеряя отклонение кан-
тилевера в ходе сканиро-
вания иглой поверхности,
получают картину топо-
графии поверхности. Пье-
зоэлектрический преобра-
зователь обеспечивает
контроль положения иглы
по отношению к поверх-
ности образца с высокой
точностью, получая карту
поверхности в нанометро-
вом или атомном масшта-
бе (рис. 1.6).
Рис. 1.5. Изображение излома поверхно-
стного слоя титана, полученное с по-
мощью растровой электронной мик-
роскопии
(
×
1000)
Рис. 1.6. Изображение выхода на поверх-
ность кристаллографических плоскостей
кремния, полученное с помощью атомно-
силовой микроскопии (
×
200000)
5
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 10
- 11
- 12
- 13
- 14
- …
- следующая ›
- последняя »
