ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Определение знака носителей заряда. Для установления типа изучаемого
полупроводника, т.е. знака носителей заряда, необходимо определить знак измеряемой ЭДС
Холла
Холла
ε
при выбранных направлениях тока через образец
I
и магнитного поля
B
r
. На
рис. 5 и 6 указан знак ЭДС Холла соответственно для случая электронной (отрицательные
носители заряда) и дырочной (положительные носители заряда) проводимости при
различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
. Магнитное поле направлено перпендикулярно
плоскости образца в направлении к нам
e
или от нас
.
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Рис. 5. Знак ЭДС Холла
Холла
ε
для случая электронной проводимости
(отрицательные носители заряда) при различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
.
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Рис. 6. Знак ЭДС Холла
Холла
ε
для случая дырочной проводимости (положительные
носители заряда) при различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
.
Описание экспериментальной установки. Электрическая схема установки для
измерения эффекта Холла и удельного сопротивления приведена на рис. 7. Изучаемый
образец приготовлен из полупроводникового вещества в форме прямоугольной пластинки,
размеры которой указаны на установке. Здесь:
1–1 — токовые контакты для пропускания электрического тока I через образец;
2–2 — контакты для измерения электрического сопротивления;
3–3 — холловские контакты для измерения эффекта Холла.
9
9 Определение знака носителей заряда. Для установления типа изучаемого полупроводника, т.е. знака носителей заряда, необходимо определить знак измеряемой ЭДС Холла ε r Холла при выбранных направлениях тока через образец I и магнитного поля B . На рис. 5 и 6 указан знак ЭДС Холла соответственно для случая электронной (отрицательные носители заряда) и дырочной (положительные носители заряда) проводимости при r различных взаимных ориентациях I и B . Магнитное поле направлено перпендикулярно плоскости образца в направлении к нам e или от нас . ε Холла ε Холла I I B B ε Холла ε Холла I I B B Рис. 5. Знак ЭДС Холла ε для случая электронной проводимости Холла r (отрицательные носители заряда) при различных взаимных ориентациях I и B . ε Холла ε Холла I I B B ε Холла ε Холла I I B B Рис. 6. Знак ЭДС Холла ε для случая дырочной проводимости (положительные Холла r носители заряда) при различных взаимных ориентациях I и B . Описание экспериментальной установки. Электрическая схема установки для измерения эффекта Холла и удельного сопротивления приведена на рис. 7. Изучаемый образец приготовлен из полупроводникового вещества в форме прямоугольной пластинки, размеры которой указаны на установке. Здесь: 1–1 — токовые контакты для пропускания электрического тока I через образец; 2–2 — контакты для измерения электрического сопротивления; 3–3 — холловские контакты для измерения эффекта Холла.