Эффект Холла. Козлов В.И - 8 стр.

UptoLike

Составители: 

Определение знака носителей заряда. Для установления типа изучаемого
полупроводника, т.е. знака носителей заряда, необходимо определить знак измеряемой ЭДС
Холла
Холла
ε
при выбранных направлениях тока через образец
I
и магнитного поля
B
r
. На
рис. 5 и 6 указан знак ЭДС Холла соответственно для случая электронной (отрицательные
носители заряда) и дырочной (положительные носители заряда) проводимости при
различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
. Магнитное поле направлено перпендикулярно
плоскости образца в направлении к нам
e
или от нас
.
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Рис. 5. Знак ЭДС Холла
Холла
ε
для случая электронной проводимости
(отрицательные носители заряда) при различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
.
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Холла
ε
I
B
I
Холла
ε
B
Рис. 6. Знак ЭДС Холла
Холла
ε
для случая дырочной проводимости (положительные
носители заряда) при различных взаимных ориентациях
I
и
B
r
.
Описание экспериментальной установки. Электрическая схема установки для
измерения эффекта Холла и удельного сопротивления приведена на рис. 7. Изучаемый
образец приготовлен из полупроводникового вещества в форме прямоугольной пластинки,
размеры которой указаны на установке. Здесь:
1–1 — токовые контакты для пропускания электрического тока I через образец;
2–2 — контакты для измерения электрического сопротивления;
3–3 — холловские контакты для измерения эффекта Холла.
9
                                                   9

      Определение знака носителей заряда. Для установления типа изучаемого
полупроводника, т.е. знака носителей заряда, необходимо определить знак измеряемой ЭДС
Холла ε                                                                          r
        Холла при выбранных направлениях тока через образец I и магнитного поля B . На
рис. 5 и 6 указан знак ЭДС Холла соответственно для случая электронной (отрицательные
носители заряда) и дырочной (положительные
                                                  носители заряда) проводимости при
                                       r
различных взаимных ориентациях I и B . Магнитное поле направлено перпендикулярно
плоскости образца в направлении к нам   e или от нас .

                                       ε   Холла               ε   Холла
                                                                          
                                                  I                      I
                                           B                       B



                          
                                       ε   Холла
                                                           
                                                               ε   Холла
                          I                               I       
                                           B                       B



             Рис. 5. Знак ЭДС Холла    ε    для случая электронной проводимости
                                               Холла
                                                                             r
     (отрицательные носители заряда) при различных взаимных ориентациях I и B .

                                       ε   Холла               ε   Холла
                                                                          
                                                      I                  I
                                           B                       B



                                       ε   Холла               ε   Холла
                                                          
                          I                               I       
                                           B                       B



      Рис. 6. Знак ЭДС Холла   ε      для случая дырочной проводимости (положительные
                                   Холла
                                                                      r
             носители заряда) при различных взаимных ориентациях I и B .

      Описание экспериментальной установки. Электрическая схема установки для
измерения эффекта Холла и удельного сопротивления приведена на рис. 7. Изучаемый
образец приготовлен из полупроводникового вещества в форме прямоугольной пластинки,
размеры которой указаны на установке. Здесь:
      1–1 — токовые контакты для пропускания электрического тока I через образец;
      2–2 — контакты для измерения электрического сопротивления;
      3–3 — холловские контакты для измерения эффекта Холла.