ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
x
′
x
B
Рис. 2. Расположение двух витков с током и создаваемое ими магнитное поле:
пунктирные линии B(x) – поле каждого витка в отдельности; сплошная линия B(x) –
результирующее поле.
Индукция магнитного поля в центре катушек Гельмгольца может быть вычислена
по формуле
R
NI
R
NI
B
0
2
5
0
90,0
5
16
µ
π
µ
⋅≈
=
, (3)
где N – общее число витков обеих катушек, I – сила тока, текущего в катушках, R –
средний радиус катушек.
Методы измерения индукции магнитного поля.
1. Измерение индукции магнитного поля
с помощью датчикa Холла.
Для измерения индукции магнитного поля применяют полупроводниковые датчики
Холла. Эффект Холла состоит в следующем. Если кусок полупроводника в виде
прямоугольной пластины поместить в магнитное поле с индукцией
B
и пропустить через
него ток плотности j, то между противоположными сторонами пластины, как показано на
рис. 3, возникнет разность потенциалов U.
Эта поперечная (относительно
j
и
B
) разность потенциалов пропорциональна
плотности тока j, магнитной индукции B и расстоянию между соответствующими гранями
пластины d:
,
BjdRU
⋅⋅⋅=
(4)
где R– постоянная, зависящая от свойств полупроводника. Ее называют постоянной Холла
для данного полупроводника.
4
4 x′ B x Рис. 2. Расположение двух витков с током и создаваемое ими магнитное поле: пунктирные линии B(x) – поле каждого витка в отдельности; сплошная линия B(x) – результирующее поле. Индукция магнитного поля в центре катушек Гельмгольца может быть вычислена по формуле 16π NI NI B = µ 0 5 R ≈ 0,90 ⋅ µ 0 R , (3) 52 где N – общее число витков обеих катушек, I – сила тока, текущего в катушках, R – средний радиус катушек. Методы измерения индукции магнитного поля. 1. Измерение индукции магнитного поля с помощью датчикa Холла. Для измерения индукции магнитного поля применяют полупроводниковые датчики Холла. Эффект Холла состоит в следующем. Если кусок полупроводника в виде прямоугольной пластины поместить в магнитное поле с индукцией B и пропустить через него ток плотности j, то между противоположными сторонами пластины, как показано на рис. 3, возникнет разность потенциалов U. Эта поперечная (относительно j и B ) разность потенциалов пропорциональна плотности тока j, магнитной индукции B и расстоянию между соответствующими гранями пластины d: U = R ⋅ d ⋅ j ⋅ B, (4) где R– постоянная, зависящая от свойств полупроводника. Ее называют постоянной Холла для данного полупроводника.