ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
гистерезис в зависимости поляризации сегнетоэлектрика от напряженности поля при
температурах ниже точки Кюри (рис.1).
Изменение свойств при переходе через эту точку происходит вследствие изменения
кристаллической структуры сегнетоэлектрика: в титанате бария выше точки Кюри имеет
место кубическая решетка, ниже - тетрагональная. Изучаемое фазовое превращение
титаната бария является фазовым превращением второго рода (или близким к нему
переходом первого рода).
При внесении в электрическое поле сегнетоэлектрик поляризуется. Электрическая
индукция для сегнетоэлектрика складывается из трех составляющих:
E
к
0
N
L
К
E
I
Рис. 1. Петля гистерезиса поляризации сегнетоэлектрика.
00
PPED
++=
ε
, (1)
где
E
- среднее макроскопическое поле в сегнетоэлектрике;
D
- средний
индуцированный электрический момент единицы объема, обусловленный поляризацией
ионного смещения и смещения электронных оболочек и пропорциональный напря-
женности электрического поля (в слабых полях);
0
P
- электрический момент спонтанной
поляризации. Векторы
E
и
P
имеют одинаковое направление, а вектор
0
P
в общем
случае имеет другое направление. В случае, если вектора
P
и
P
пропорциональны век-
тору напряженности электрического поля
E
, полная диэлектрическая проницаемость
сегнетоэлектрика, обусловленная и поляризацией, вызываемой внешним полем, и
спонтанной поляризацией, равна отношению
E
D
0
ε
ε
=
Тогда из уравнения (1) получаем
E
P
E
P
E
0
0
0
1
εε
ε
++=
(2)
Здесь
E
P
0
- проекция
0
P
на направление поля
0
E
.
4
4 гистерезис в зависимости поляризации сегнетоэлектрика от напряженности поля при температурах ниже точки Кюри (рис.1). Изменение свойств при переходе через эту точку происходит вследствие изменения кристаллической структуры сегнетоэлектрика: в титанате бария выше точки Кюри имеет место кубическая решетка, ниже - тетрагональная. Изучаемое фазовое превращение титаната бария является фазовым превращением второго рода (или близким к нему переходом первого рода). При внесении в электрическое поле сегнетоэлектрик поляризуется. Электрическая индукция для сегнетоэлектрика складывается из трех составляющих: I К L N Eк 0 E Рис. 1. Петля гистерезиса поляризации сегнетоэлектрика. D = ε 0 E + P + P0 , (1) где E - среднее макроскопическое поле в сегнетоэлектрике; D - средний индуцированный электрический момент единицы объема, обусловленный поляризацией ионного смещения и смещения электронных оболочек и пропорциональный напря- женности электрического поля (в слабых полях); 0 - электрический момент спонтанной P поляризации. Векторы E и P имеют одинаковое направление, а вектор P0 в общем случае имеет другое направление. В случае, если вектора P и P пропорциональны век- тору напряженности электрического поля E , полная диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика, обусловленная и поляризацией, вызываемой внешним полем, и спонтанной поляризацией, равна отношению D ε = ε 0E Тогда из уравнения (1) получаем P P ε = 1+ + 0E (2) ε 0E ε 0E Здесь P0 E - проекция P0 на направление поля E 0 .