Усилитель переменного напряжения на интегральной микросхеме. Козлов В.И - 2 стр.

UptoLike

Лабораторная работа 13
Усилитель переменного напряжения на интегральной микросхеме
Рассматривается работа усилителя, построенного на интегральной микросхеме.
Снимаются амплитудная, амплитудно-частотная и фазовая характеристики усилителя.
Усилитель на транзисторе. При проведении физических экспериментов часто
возникает необходимость в усилении слабых электрических сигналов. Широкое
применение получили усилители на транзисторах.
Рассмотрим, как работает усилитель на одном транзисторе, который имеет два n-р-
перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой, коллекторный - между базой и
коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, так как их работа основана на
использовании носителей заряда обоих знаков.
Режим работы транзистора называют активным, если на эмиттерном переходе
напряжение прямое, т. е. имеет полярность, соответствующую прямому току через этот
переход, а на коллекторном переходе - обратному. Активный режим является основным и
используется в большинстве усилителей.
В усилительные схемы транзистор включается как четырехполюсник, имеющий два
входных и два выходных зажима. Так как транзистор имеет три вывода, один из них
оказывается одновременно и входным и выходным, т. е. является общим.
Наиболее часто в усилителях применяется включение транзистора с общим
эмиттером, показанное на рис. 1 для случая транзистора n–р–n-типа.
Uвх
к
б
э
R
н
-
+
-
+
ε
2
U
вых
Рис. 1. Включение транзистора в усилительную схему с общим эмиттером.
Переменное напряжение
вх
U
, которое необходимо усилить, подается от источника
колебаний на участок база – эмиттер.
Для выделения усиленного выходного напряжения
вых
U
в эту цепь включен
резистор нагрузки
н
R
.
Усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано на том
явлении, что напряжение участка база-эмиттер
бэ
U
, (или ток на участке база-эмиттер)
существенно влияет на ток коллектора: чем больше напряжение между базой и эмиттером,
тем больше ток коллектора, т. е. входное напряжение
бэ
U
, управляет током коллектора.
Важным параметром, характеризующим работу полупроводниковых усилителей, является
его коэффициент усиления по напряжению:
3
                                           3




                                 Лабораторная работа 13
    Усилитель переменного напряжения на интегральной микросхеме
     Рассматривается работа усилителя, построенного на интегральной микросхеме.
Снимаются амплитудная, амплитудно-частотная и фазовая характеристики усилителя.


       Усилитель на транзисторе. При проведении физических экспериментов часто
возникает необходимость в усилении слабых электрических сигналов. Широкое
применение получили усилители на транзисторах.
   Рассмотрим, как работает усилитель на одном транзисторе, который имеет два n-р-
перехода: эмиттерный - между эмиттером и базой, коллекторный - между базой и
коллектором. Такие транзисторы называют биполярными, так как их работа основана на
использовании носителей заряда обоих знаков.
   Режим работы транзистора называют активным, если на эмиттерном переходе
напряжение прямое, т. е. имеет полярность, соответствующую прямому току через этот
переход, а на коллекторном переходе - обратному. Активный режим является основным и
используется в большинстве усилителей.
   В усилительные схемы транзистор включается как четырехполюсник, имеющий два
входных и два выходных зажима. Так как транзистор имеет три вывода, один из них
оказывается одновременно и входным и выходным, т. е. является общим.
       Наиболее часто в усилителях применяется включение транзистора с общим
эмиттером, показанное на рис. 1 для случая транзистора n–р–n-типа.
                                           к
                                       б
                                                    Rн
                                           э
                                                         Uвых
                       Uвх
                             +                      +
                             -
                                  ε1           ε2   -


       Рис. 1. Включение транзистора в усилительную схему с общим эмиттером.

       Переменное напряжение U вх , которое необходимо усилить, подается от источника
колебаний на участок база – эмиттер.
       Для выделения усиленного выходного напряжения U вых в эту цепь включен
резистор нагрузки Rн .
       Усиление электрических колебаний с помощью транзистора основано на том
явлении, что напряжение участка база-эмиттер U бэ , (или ток на участке база-эмиттер)
существенно влияет на ток коллектора: чем больше напряжение между базой и эмиттером,
тем больше ток коллектора, т. е. входное напряжение U бэ , управляет током коллектора.
Важным параметром, характеризующим работу полупроводниковых усилителей, является
его коэффициент усиления по напряжению: