Усилитель переменного напряжения на интегральной микросхеме. Козлов В.И - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МГУ | Москва

Составители: 

Рубрика: 

23 бб
II
〉
12
бб
II
〉
I
1б
кэ
U
t
М
B
t
макс
к
I2
макс
кэ
U
2
∗
кэ
U
0
Т
N
I
к
Рис. 2. Построение линии нагрузки на семействе выходных характеристик транзистора.
На линии нагрузки выбирается рабочий участок (АВ), который определяет пределы
возможных изменений
к
I
и
кэ
U
, т. е. удвоенную амплитуду выходного тока
макс
I
2
, и
выходного напряжения
кэмакс
U
2
, а также пределы изменения
б
I
(от значения
1б
I
до
5б
I
).
Середина рабочего участка (рабочая точка Т) задает в свою очередь положение рабочей
точки Т, на входной характеристике (рис. 3):
)(
бэб
UfI
=
при
constU
кэ
=
*
.
Из рис. 2 и видно, что рабочие точки должны задаваться в областях, где нелинейности
входных и выходных характеристик транзистора проявляются слабее. При этом усиление
5
Т
I
б
I
3б
I
1б
0
U
бэ
макс
б
I
2
t
t
макс
бэ
U
2
constU
кэ
=
∗
                                                        5

                                     Iк

             Iк                       N                                              I б3 〉 I б 2


                                                                 Т                   I б 2 〉 I б1
                                 2 I кмакс
                            t
                                                                              B      Iб1

                                      0                         U кэ∗              М U кэ
                                                            2U кэмакс




                                                            t

 Рис. 2. Построение линии нагрузки на семействе выходных характеристик транзистора.

          На линии нагрузки выбирается рабочий участок (АВ), который определяет пределы
возможных изменений I к и U кэ , т. е. удвоенную амплитуду выходного тока 2 I макс , и
выходного напряжения 2U макс кэ , а также пределы изменения I б (от значения I б1 до
 I б 5 ).

Середина рабочего участка (рабочая точка Т) задает в свою очередь положение рабочей
точки Т, на входной характеристике (рис. 3):


                                        I б = f (U бэ ) при U кэ * = const .


 Из рис. 2 и видно, что рабочие точки должны задаваться в областях, где нелинейности
входных и выходных характеристик транзистора проявляются слабее. При этом усиление

                     Iб         U кэ∗ = const
                     Iб3

                                                Т
                                                                        t
                                                                            2 I бмакс
                     Iб 1

                      0                                                      Uбэ



                                                    t
                                             2U бэмакс

Страницы