Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 61 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

61
2. Определение толщины прозрачной пленки на прозрачной подложке
Для прозрачных тонких диэлектрических и полупроводниковых
пленок при падении на них света характерны интерференционные явления
(рис.18).
0
I
R1
I
R2
I
T1
I
T2
I
d
Рис.18. Схематический ход лучей через систему прозрачные пленка-
подложка
При определенных условиях при сложении отраженных или
прошедших пучков будет наблюдаться интерференция с усилением или с
ослаблением интенсивности, и спектр пропускания (отражения) будет
выглядеть следующим образом (рис.19).
Рис.19. Спектр пропускания системы пленка-подложка 
  2. Определение толщины прозрачной пленки на прозрачной подложке
       Для прозрачных тонких диэлектрических и полупроводниковых
пленок при падении на них света характерны интерференционные явления
(рис.18).

                I0                         I R1 I R2




                                                   d




                                         I T1 I T2
      Рис.18. Схематический ход лучей через систему прозрачные пленка-
                                 подложка

      При определенных условиях при сложении отраженных или
прошедших пучков будет наблюдаться интерференция с усилением или с
ослаблением интенсивности, и спектр пропускания (отражения) будет
выглядеть следующим образом (рис.19).




            Рис.19. Спектр пропускания системы пленка-подложка


                                    61

Страницы