Элементарные излучатели электромагнитных волн. Кубанов В.П. - 26 стр.

UptoLike

Составители: 

26
По аналгии не составит труда понять смысл размерностей напряженности
электрического поля в дБ/мВ/м, дБ/мкВ/м, а также плотности потока энергии
в дБ/мВт/м
2
, дБ/мВт/см
2
, дБ/мкВт/см
2
. В общем случае необходимость ис-
пользования тех или иных размерностей обычно определяется спецификой ре-
шаемой задачи.
4.2. Задачи
1. Определить амплитуды всех составляющих напряженности элек-
трического и магнитного полей элементарного электрического излучателя в
точке пространства с координатами: 𝑟= 1000 м, 𝜃= 45
°
, 𝜑= 60
°
. Излучатель
ориентирован вдоль оси Х (рис. 4.1а). Амплитуда тока, возбуждающего излуча-
тель, равна 1 А, частота 300 МГц, длина излучателя 10 см. Значения амплитуд
напряженности электрического поля выразить в децибелах относительно 1
мВ/м — магнитного поля — в децибелах относительно 1 мА/м.
(Ответ: E
θ𝑚
= 16,5 дБ мВ
м
, E
φm
= 24,3 дБ мВ
м
,
H
φm
= 35,05 дБ/мA/м, H
θm
= 27,3 дБ/мA/м.).
Рис. 4.1
2. Элементарный электрический излучатель ориентирован вдоль оси Y
(рис 4.1б). Определить значения амплитуд составляющих напряженности элек-
трического поля 𝐸
𝜃𝑚
, 𝐸
𝜑𝑚
и составляющих напряженности магнитного поля
𝐻
𝑚𝜃
, 𝐻
𝑚𝜑
в расчетной точке с координатами: 𝑟= 1000 м, 𝜃= 45
°
, 𝜑= 60
°
. Ам-
плитуда тока, возбуждающего излучатель, равна 1 А, частота 300 МГц, длина
излучателя 10 см. Значения амплитуд напряженности электрического поля вы-
разить в децибелах относительно 1 мВ/м магнитного поля в децибелах
относительно 1 мА/м.
(Ответ: E
θ𝑚
= 21,3 дБ мВ
м
, E
φm
= 19,5 дБ мВ
м
,
H
φm
= 30,3 дБ/мA/м, H
θm
= 32,04 дБ/мA/м.).
Z
Y
X
r
O
M
б)
Z
Y
X
r
O
M
а)
     По аналгии не составит труда понять смысл размерностей напряженности
электрического поля в дБ/мВ/м, дБ/мкВ/м, а также плотности потока энергии
в дБ/мВт/м2 , дБ/мВт/см2 , дБ/мкВт/см2 . В общем случае необходимость ис-
пользования тех или иных размерностей обычно определяется спецификой ре-
шаемой задачи.

     4.2. Задачи

      1.   Определить амплитуды всех составляющих напряженности элек-
трического и магнитного полей элементарного электрического излучателя в
точке пространства с координатами: 𝑟 = 1000 м, 𝜃 = 45° , 𝜑 = 60° . Излучатель
ориентирован вдоль оси Х (рис. 4.1а). Амплитуда тока, возбуждающего излуча-
тель, равна 1 А, частота 300 МГц, длина излучателя 10 см. Значения амплитуд
напряженности электрического поля выразить в децибелах относительно 1
мВ/м — магнитного поля — в децибелах относительно 1 мА/м.
      (Ответ: Eθ𝑚 = 16,5 дБ мВ м , Eφm = 24,3 дБ мВ м,
      Hφm = −35,05 дБ/мA/м, Hθm = −27,3 дБ/мA/м.).

               Z                                           Z




                               M                                          M
                                                                   
               O            r           Y                  O           r           Y


                                                              
       X                                               X
                                                                              

                   а)                                          б)
                                            Рис. 4.1

      2.    Элементарный электрический излучатель ориентирован вдоль оси Y
(рис 4.1б). Определить значения амплитуд составляющих напряженности элек-
трического поля 𝐸𝜃𝑚 , 𝐸𝜑𝑚 и составляющих напряженности магнитного поля
𝐻𝑚𝜃 , 𝐻𝑚𝜑 в расчетной точке с координатами: 𝑟 = 1000 м, 𝜃 = 45° , 𝜑 = 60° . Ам-
плитуда тока, возбуждающего излучатель, равна 1 А, частота 300 МГц, длина
излучателя 10 см. Значения амплитуд напряженности электрического поля вы-
разить в децибелах относительно 1 мВ/м — магнитного поля — в децибелах
относительно 1 мА/м.
      (Ответ: Eθ𝑚 = 21,3 дБ мВ м , Eφm = 19,5 дБ мВ м,
       Hφm = −30,3 дБ/мA/м, Hθm = −32,04 дБ/мA/м.).

                                                26