ВУЗ:
Составители:
13
Рис. 1.6
1.5. Режим осевого излучения
Вновь вернемся к рис. 1.2а, на котором изображена линейная эквиди-
стантная антенная решетка. Нормированная амплитудная характеристика на-
правленности в – плоскости, как было показано в разделе 1.1, определяется
формулой (1.3).
Пусть значение фазового сдвига удовлетворяет условию = . В этом
случае, как следует из (1.15), в направлении оси решетки, т.е. при
= 90
на-
блюдается синфазное сложение полей отдельных элементов. Это — режим
осевого излучения.
Множитель системы антенной решетки, работающей в режиме осевого
излучения, в – плоскости определяется общей формулой (1.3):
=
1
(
)
sin
sin
/2
sin
sin
/2
. (1.16)
На рис. 1.7а показана 10-и элементная решетка и её нормированная ам-
плитудная диаграмма, формируемая при = (рис. 1.7б).
Y
d
1
2
3
X
10
.7,0
;25,0
;10
kd
d
n
а) б)
0
30
60
90
120
150
180
210
240
270
300
330
0.2
0.4
0.6
0.8
F
i
i
)(
F
гл
Y n 10 ; 10 d 0 , 25 ; 90 гл 120 60 kd 0 , 7 . 0.8 150 0.6 30 0.4 0.2 FF(i ) 180 0 3 X 210 330 2 d 240 300 1 270 i а) б) Рис. 1.6 1.5. Режим осевого излучения Вновь вернемся к рис. 1.2а, на котором изображена линейная эквиди- стантная антенная решетка. Нормированная амплитудная характеристика на- правленности в 𝐻 – плоскости, как было показано в разделе 1.1, определяется формулой (1.3). Пусть значение фазового сдвига 𝜓 удовлетворяет условию 𝜓 = 𝑘𝑑. В этом случае, как следует из (1.15), в направлении оси решетки, т.е. при 𝜑гл = 90° на- блюдается синфазное сложение полей отдельных элементов. Это — режим осевого излучения. Множитель системы антенной решетки, работающей в режиме осевого излучения, в 𝐻 – плоскости определяется общей формулой (1.3): 𝐹𝑐 𝜑 = 1 𝑓𝑐 (𝜑гл) sin 𝑛 𝑘𝑑 sin 𝜑 − 𝜓 /2 sin 𝑘𝑑 sin 𝜑 − 𝜓 /2 . (1.16) На рис. 1.7а показана 10-и элементная решетка и её нормированная ам- плитудная диаграмма, формируемая при 𝜓 = 𝑘𝑑 (рис. 1.7б). 13
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 11
- 12
- 13
- 14
- 15
- …
- следующая ›
- последняя »